GAL器件概述.pdf

课题七可编程逻辑器件GAL应用课件.ppt 任务一应用GAL制作8路输出控制器 ; 在集成电路芯片中，一类是定制芯片，它们的逻辑功能是确定的。另一类是可编程逻辑器件PLD，用户可以通过编程方式写入逻辑功能。 ; GAL16V8D管脚排列中，I表示逻辑输入端，CLK表示时钟脉冲输入端，O，Q表示输出端，表示输出3态控制端。电源电压典型值+5V，输出电流较大，可以直接驱动LED负载。;;一、可编程逻辑器件PLD 1. PLD逻辑符号;PLD结构图;3. GAL16V8结构; 4. GAL的工作模式和逻辑组态 GAL16V8系列器件共有3种工作模式，它们是简单模式、复杂模式和寄存器

2017-08-10 约1.38千字 56页立即下载

MOS器件结构概述.ppt MOSFET是一个四端器件：栅 G （Gate），电压VG 源 S （Source），电压VS 漏 D （Drain），电压VD 衬底 B （Body），电压VB 以源端为电压参考点，端电压定义为: 漏源电压 VDS=VD - VS 栅源电压 VGS=VG - VS 体源电压 VBS=VB - VS MOSFET正常工作时，D、B和S端所加的电压要保证两个PN结处于反偏。在直流工作下的器件，通常假设器件只有漏－源电流*或简称漏电流 IDS，并将流向漏极方向的电流定义为正。 MOSFET各端电压对漏电流都有影响，电流－电压的一般关系为：基本假定长沟和宽沟MOSFET：WLToxXc

2017-05-11 约2.27千字 20页立即下载

超结-器件-原理-概述.pdf PowerIC—PowerOn 联合研究中心 VDMOS VDMOS 超结VVDDMMOOSS 概述目录 1. 1. 11..高压器件演变史 2. 2. 22..超结理论精髓 3. VDMOS

2022-10-19 约3.04万字 4页立即下载

《光无源器件的概述》课件 .ppt *************************************4.光无源器件的制造工艺光无源器件的制造涉及多种精密工艺技术，不同类型的器件需要采用不同的制造方法。从传统的光纤熔融拉锥技术到现代的半导体工艺，从精密机械加工到纳米材料技术，光无源器件制造工艺的发展反映了现代精密制造技术的进步。随着集成光学和微纳加工技术的发展，光无源器件的制造工艺不断创新，实现了更高性能、更小体积和更低成本。下面我们将详细介绍几种主要的光无源器件制造工艺技术。4.1光纤熔融技术准备与固定将待处理的光纤进行涂覆层剥除，清洁后固定在熔融拉锥装置的工作台上。精确控制光纤的位置和张力，确保加工质量。加热熔融使用

2025-04-04 约2.34万字 60页立即下载

《光有源器件的概述》课件.ppt *************************************光纤传感分布式光纤传感分布式光纤传感系统利用光纤本身作为传感元件，通过分析光信号在光纤中传输时的散射特性（瑞利散射、布里渊散射或拉曼散射），实现对温度、应变、振动等物理量的连续分布式测量。主要技术包括：光时域反射（OTDR）：测量距离与衰减布里渊光时域分析（BOTDA）：测量温度和应变拉曼光时域反射（ROTDR）：测量温度相位敏感OTDR：测量声波和振动这些系统需要高性能的窄线宽激光器、高速光调制器和高灵敏度光检测器等光有源器件。光纤光栅传感光纤光栅是在光纤芯中刻写的周期性折射率变化结构，能够反射特定波长的光。当外部物理

2025-04-07 约1.86万字 60页立即下载

第1章光波导原理与器件概述.ppt 1、混合型。作为宽带域IOSA的波导材料，最合适的是具有优秀的高频声表面波滤波器(SAW)特性的LiNbO3，这时候需要将其制作成外贴光源与光检测器的混合型集成光路。从理论上讲，这种混合集成光路可以做到1GHz的带宽，1MHz的分辨率，响应速度为lus。这些利用电先效应的IOSA的缺点是，需要有能够把时序信号变换为并行信号的电子电路；但是它的优点是具有超高速响应的可能性。第1章光导波原理与器件概论长春理工大学 2、准单片型。IOSA所需要的光检测器与其它的光学器件有可能实现准单片集成化。作为这种准单片型IOSA的衬底，选用Si比较合适。虽然含有主检测器的单片集成化的IOSA至今尚未制作

2017-06-02 约7.84千字 51页立即下载

MOS器件建模及仿真概述.ppt 沟道中扩散电流：弱反型：源端：Vcb=Vsb; 漏端：Vcb=Vsb+Vds 代入上式可得到源、漏端反型层电荷，最后可推导出漏电流亚阈值斜率S：亚阈值电流每变化一个数量级所要求栅压的变化量. ----标志开关特性的好坏，体现界面陷阱对器件性能影响程度. 耗尽型器件的漏电流模型 Qm=-Qim+Qjn+Qsc 沟道内可动电荷Qm: 表面积累表面耗尽表面反型忽略扩散电流，漏电流为：代入Qm，得 Fs根据以下五种状态分别求解：（1）整个表面反型；（2）源端反型、漏端耗尽（3）整个表面耗尽；（4）源端积累、漏端耗尽（5）整个表面积累。 MOSFET中迁移率问题 ? 体迁移率与有

2017-05-10 约8千字 93页立即下载

电力电子器件概述.ppt 第1章电力电子器件内容提要与目的要求 1.全面介绍各种主要电力电子器件的基本结构、工作原理、基本特性和主要参数等。重点了解晶闸管的结构与工作原理、伏安特性，掌握晶闸管的电压定额与电流定额（通态平均电流）、通态平均电流选择原则，并学会选择晶闸管元件。 2.集中讨论电力电子器件的驱动、保护和串、并联使用。第1章电力电子器件 1.1 电力电子器件概述 1.2 不可控器件——二极管 1.3 半控型器件——晶闸管 1.4 典型全控型器件 1.5 其他新型电力电子器件 1.6 电力电子器件的驱动 1.7 电力电子器件的保护 1.8

2017-09-20 约3.31万字 159页立即下载

第1节电力电子器件概述.ppt 1.1 电力电子器件概述 1.2 不可控器件——二极管 1.3 半控型器件——晶闸管 1.4 典型全控型器件 1.5 其他新型电力电子器件 1.6 电力电子器件的驱动 1.7 电力电子器件的保护本章小结及作业第1章电力电子器件·引言电子技术的基础 ——— 电子器件：晶体管和集成电路电力电子电路的基础 ——— 电力电子器件本章主要内容：概述电力电子器件的概念、特点和分类等问题。介绍常用电力电子器件的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意问题。 1.1

2017-09-15 约2.06万字 112页立即下载

单电子器件概述报告.doc 单电子器件概述 一引言对于目前的电子器件来说，器件的最小尺寸要大于电子的德布罗意波长，也就是说我们都是将电子看成是经典的粒子，我们不妨将这种器件称为经典器件。但近些年来，随着微细加工技术的飞快发展和电子电路集成度的提高，都要求电子器件的尺寸越小越好。但是器件尺寸的缩小并不是无限度的，就像CMOS器件，它由于受固体结构特性的最小尺寸，电流、电压感应击穿，功率耗散，热噪声和海森堡测不准原理等因素的限制, 已经接近物理极限, 要想进一步发展大规模集成电路, 就需要更小的器件。例如其沟道长度如果缩小到小于0.25微米，甚至几十纳米几纳米数量级时，因为量子隧穿，器件就会失效。也就是说随着器件尺寸的缩

2017-06-17 约3.79千字 6页立即下载

第1章电力电子器件概述.ppt 第1章电力电子器件 1.1 电力电子器件概述 1.2 不可控器件——二极管 1.3 半控型器件——晶闸管 1.4 典型全控型器件 1.5 其他新型电力电子器件 1.6 电力电子器件的驱动 1.7 电力电子器件的保护 1.8 电力电子器件的串联和并联使用本章小结及作业第1章电力电子器件·引言电子技术的基础 ——— 电子器件：晶体管和集成电路电力电子电路的基础 ——— 电力电子器件本章主要内容：概述电力电子器件的概念、特点和分类等问题。介绍常用

2017-06-03 约2.11万字 109页立即下载

2025-05-19 约2.18万字 10页立即下载

电子元器件概述.pptx 电子元器件概述 元件类物料器件类物料一、元件类物料电阻、电容、电感、接插件、晶振、变压器、PCB、保险丝引脚电阻：碳膜电阻、金属膜电阻、氧化膜电阻、线绕电阻、保险丝电阻、铝壳电阻、01贴片电阻：厚膜电阻、薄膜电阻02电位器03电阻网络（排阻）04特殊规格的电阻：低阻、高阻、高精度、低温漂、高压、大功率、高可靠05电阻 1引脚电容：独石、陶瓷、膜电容、铝电容、钽电容、半导体电容2贴片电容：独石、铝电解、钽电容、膜电容、微调电容3电容网络电容引脚电感（色环、色码、线绕）变压器贴片（线绕、叠层）磁感接插件（HEADER）目前公司使用的品牌：AMP、MOLEX、JST、SAMTEC、MOLEX

2025-05-20 约1.15千字 10页立即下载

PROM／GAL结构及应用.ppt GAL的7个输出结构图2-20寄存器输出结构图2-19寄存器模式组合双向输出结构 GAL的7个输出结构图2-21 组合输出双向结构图2-22 复合型组合输出结构 GAL的7个输出结构图2-23 反馈输入结构图2-24输出反馈结构 GAL的7个输出结构图2-25 简单模式输出结构七段数码显示器工作原理共阴极接法显示代码概念 9的显示代码 2.2.4 PAL 图2-15 PAL结构：图2-16 PAL的常用表示： 2.2.4 PAL 图2-17 一种PAL16V8的部分结构图 2.2.5 GAL 图2-18 GAL16V8的结构图 GAL： Gen

2017-07-24 约2.28千字 93页立即下载

GAL的工作模式.docx GAL的工作模式GAL16V8有3种工作模式，即寄存器模式、复合模式和简单模式。适当连接器件的引脚线，由OLMC的输出/输入特性可以决定其工作模式。GAL16V8寄存器模式在寄存器模式中，宏单元被配置为专用的寄存器输出或者I/O功能。这种模式中有效的结构配置与普通的16R8和16RP4器件类似，只是在极性，I/O和寄存器布置方面有不同。所有的宏单元共享共同的时钟和输出使能控制引脚。任一个宏单元都能够被配置成寄存器或I/O形式，可以多至8个。专用的输入或输出功能能够被用作I/O功能的子系统。寄存器形式输出每个输出端有8个乘积项（图A），I/O形式输出端有7个乘积项（图B），在两个图中，引脚1和1

2017-03-31 约7.57千字 11页立即下载