Ⅲ-Ⅴ族半导体异质结中二维电子气的磁输运性质的中期报告.docx

Ⅲ-Ⅴ族半导体异质结中二维电子气的磁输运性质的中期报告 本报告介绍了Ⅲ-Ⅴ族半导体异质结中二维电子气的磁输运性质的中期研究成果。 首先，我们通过数值模拟和理论分析，研究了当二维电子气受到垂直于其平面的磁场时，其磁阻和霍尔效应。我们发现，在一定范围的磁场下，二维电子气的磁阻率和霍尔电阻率呈现出奇异的振荡行为，称为量子霍尔效应。我们通过计算其导电性的带隙结构和电子波函数的分布，发现量子霍尔效应与二维电子气的结构和能带性质有关。 其次，我们研究了异质结中的晶格弛豫效应对磁输运性质的影响。我们发现，晶格弛豫导致异质结中出现了电子状态的空间分布和能带结构的变化，进而对二维电子气的磁输运性质产生影响。我们进一步通过计算二维电子气的局域态密度，证实了晶格弛豫对局域态的影响。 最后，我们还研究了不同材料之间异质结的影响。我们计算了不同材料的界面处的电荷分布和能级变化，分析了其对磁输运性质的影响。我们发现，不同材料的异质结会导致二维电子气的局域态密度和能带结构的变化，从而影响其磁输运性质。 本研究的结果对于理解和控制Ⅲ-Ⅴ族半导体异质结中的二维电子气的磁输运性质有重要意义。未来我们将进一步研究异质结中的通量腔和自旋霍尔效应，以及异质结中太赫兹波段光学性质等方面的磁输运性质。