4H-SiC SAM-APD结构紫外探测器的研究的开题报告.docx

4H-SiCSAM-APD结构紫外探测器的研究的开题报告

题目：4H-SiCSAM-APD结构紫外探测器的研究

一、研究背景及意义

随着现代通信技术的发展，对高性能紫外探测技术的需求越来越迫切。现有的紫外探测器往往存在着灵敏度低、响应时间长等缺陷，难以满足实际应用需求。而SiC基材料因其优异的物理、化学性质，在紫外探测应用领域具有广泛的应用前景。

其中，4H-SiC是一种性能优越的宽禁带半导体材料，具有较大的能带宽度，高击穿场强、高热稳定性和高电子迁移率等特点，在光电器件中具有广泛的应用前景。而SAM-APD结构紫外探测器是一种相对较新的探测技术，具有高的增益和快速响应等特点，能够有效提高紫外光探测器的性能和减小噪声，因此在光通信、紫外光谱和生物医学等领域应用广泛。

因此，研究4H-SiCSAM-APD结构紫外探测器的性能和制备方法，对于提高紫外探测的性能和应用价值，具有重要的科学意义和工程应用价值。

二、研究内容和方法

1.研究4H-SiCSAM-APD结构紫外探测器的工作原理和性能特点，探究其在紫外波段探测中的优越性能。

2.制备高品质的4H-SiC材料，采用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）生长高质量SiC薄膜，获得高质量的SiC单晶和多晶衬底。

3.设计和制备4H-SiCSAM-APD结构紫外探测器样品，通过微影技术和湿法刻蚀技术等方法加工制作出器件的结构，进一步提高其性能。

4.对制备的紫外探测器样品进行表征，包括电学特性、光学特性等方面的测试和分析，研究其性能和探测能力。

5.最终实现4H-SiCSAM-APD结构紫外探测器的高性能化，提高其在紫外探测领域的应用价值。

三、预期结果

通过对4H-SiCSAM-APD结构紫外探测器的研究和开发，预期能够实现以下几个方面的成果：

1.实现紫外探测器的高灵敏度和快速响应，达到高分辨率的探测效果。

2.提高紫外探测器的探测深度和探测距离，加大其应用范围和应用场景。

3.实现紫外探测器的制备工艺优化，提高其可靠性和稳定性，为大规模制备提供技术支撑。

4.推动紫外探测技术的发展和应用推广，为光技术的发展做出贡献。

四、参考文献

[1]VaidyaPK,etal.High-performance4H-SiCphotoconductiveultravioletdetectors.AppliedPhysicsExpress,2015,8(9):091201.

[2]LinMC,etal.4H-SiCavalanchephotodiodeswithlowavalanchebreakdownvoltage.IEEETransactionsonElectronDevices,2013,60(10):3260-3265.

[3]LiuW,etal.High-gainlateralSiCavalanchephotodiodesgrownonon-axissubstrates.IEEETransactionsonElectronDevices,2013,60(10):3239-3243.

[4]WaldropJR,etal.SiCUVAPDssensitiveat220nm.JournalofElectronicMaterials,2017,46(6):3396-3400.