MCS单片机扩展存储器设计.ppt

第7章MCS-51单片机扩展存储器的设计;本章内容和讲课思路;1、MCS-51的系统扩展结构图;系统总线;

;理解：

P0口是A7~A0和D7~D0的复用线，用地址锁存器实现复用，地址锁存器一般采用74LS373

P0口送出的低8位有效地址信号是在ALE（地址锁存允许）信号变高的同时出现，在ALE由高变低时，将A0～A7锁存到74LS373中。;②控制总线的构造。

ALE－－

－－

－－

－－

;7.2读写控制、地址空间分配和外部地址锁存器

7.2.1读写控制;7.2.2★地址空间分配;1.线选法

;解：高位地址线P2.4～P2.7直接和各芯片片选信号CE*相连

分析地址：

A15A14A13A12A11～A0

2732(1):0111 7000H～7FFFH

2732(2):1011 B000H～BFFFH

6116(1):11101 E800H～EFFFH

6116(2):11011D800H～DFFFH;2.译码法;(1)74LS138（3～8译码器）; 74LS138译码器真值表

输入输出

CBA;(2)74LS139（双2-4译码器）

;解：6264：8K=2133根地址线留下8片3－8译码;全译码方式，地址无重叠，64KB空间：0000H～FFFFH地址连续;解：64KB=4KB×8块×2部分

4K=21212根＋译码3根，P2.7未参加译码

P2.7=0/1决定选择64KB的前32KB或后32KB;如何用74LS138把64K空间划分为每块2KB？;解：64KB=2KB×8块×4部分

4K=21111根＋译码3根，P2.7,P2.6未参加译码

P2.7—G1,P2.6—G2A*,改变P2.7,P2.6和G1,G2A*的连接逻辑，即可改变选中的4个16KB空间的哪一个了。;7.3.3外部地址锁存器

常用的有:;G:锁存信号,高电平有效。当G为高电平时，外部D7～D0选通到内部锁存器，负跳变时，数据锁存到锁存器中。

OE*:输出允许，低电平有效，三态门打开，锁存器中数据输出到Q7～Q0,当信号为高电平时，Q7～Q0为高阻态;;7.4EPROM的扩展

复习：自己看。采用只读存储器，非易失性。

（1）掩膜ROM

在制造过程中编程。成本较高，因此只适合于大批量生产。

（2）可编程ROM（PROM）

用独立的编程器写入。但PROM只能写入一次，且不能再修改。

（3）EPROM

电信号编程，紫外线擦除的只读存储器芯片。

;（4）E2PROM（EEPROM）

电信号编程，电信号擦除的ROM芯片。读写操作与RAM几乎没有什么差别，只??写入的速度慢一些。但断电后能够保存信息。

（5）FlashROM

又称闪烁存储器，简称闪存。大有取代E2PROM的趋势。

7.4.1常用EPROM芯片介绍

典型芯片是27系列产品，例如，2764（8KB×8）、27128（16KB×8）、27256（32KB×8）、27512（64KB×8）。“27”后面的数字表示其位存储容量。;地址线;7.4.2例子

例1.如何外扩1片EPROM27128？;;例2.如何外扩1片EPROM27256？;例3.MCS-51扩展4片27128？;7.5静态RAM（SRAM）的扩展

7.5.1常用的SRAM芯片

典型型号有:6116、6264、62128、62256。

;地址线;7.5.3例子

例1：如何扩展3片6264?;;解：128,16k，需要4片，16K=214剩2根，，2－4译码，全译码法;;例3：如何扩展1片62256?;例4（软件）编写程序将片外数据存储器中7000H～70FFH单元全部清零。;7.6EPROM和RAM的综合扩展

例1要扩展2片RAM(8KB×8）和2片EPROM（8KB×8）。RAM选6264，EPROM选2764。扩展接口电路？(线选法和译码法);注意各片选信号和控制信号（理解）

各芯片地址空间分配？;（P2.7=1,P2.6=0,P2.5随意，若取1）

IC1、IC3地址范围：A000H～BFFFH共8KB

IC2、IC4地址范围：6000H～7FFFH。;译码法，采用2－4译码器;;7.7、外扩