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AIST无机热模光刻胶曝光与显影特性的深度剖析与前沿探索
一、引言
1.1研究背景与意义
在当今微电子制造领域，光刻技术作为构建微观电路结构的核心工艺，其重要性不言而喻。光刻胶，作为光刻技术中的关键材料，犹如芯片制造的“画笔”，承担着将掩膜版上的精细图案精确转移到硅片等衬底上的重任，直接决定了芯片的性能、集成度以及生产成本。从芯片的发展历程来看，随着摩尔定律的不断推进，芯片制造商一直在追求更小的特征尺寸，以实现更高的集成度和性能提升。在这一过程中，光刻胶的性能成为了制约芯片制程进步的关键因素之一。
在先进的芯片制造工艺中，如7nm、5nm甚至更小的制程节点，对光刻胶的分辨率、灵敏度、
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