一种低光泽度低红外发射率颜填料、制备及测试方法.pdf
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117720831A
(43)申请公布日2024.03.19
(21)申请号202311735716.1C09D5/30(2006.01)
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（一）背景溯源：硅片光泽度为何重要
在半导体制造领域，硅片作为基础且关键的材料，其表面质量对整个芯片制造流程有着深远影响。硅片表面的光泽度绝非仅仅关乎外观，它实则是评价硅片表面质量的关键指标之一。以HDPCVD薄膜沉积制程为例，硅片背面光泽度不一致，会致使薄膜沉积速率、厚度以及掺杂元素含量等参数出现明显偏差。这些薄膜参数的差异，又会直接引发集成电路器件产品的关键技术指标，如击穿电压、漏电特性等产生差异性与不稳定性，最终对产品质量造成严重影响。因此，严格控制硅片
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低红外发射率涂层材料的制备与性能研究的开题报告
题目：低红外发射率涂层材料的制备与性能研究
一、研究背景和意义
红外辐射是指电磁波在波长较长的区域内，即波长在0.78-1000微米之间的辐射。低红外发射率材料可以有效地减少热量传递和能量损失，因此具有重要的应用价值。目前，低红外发射率涂层材料广泛应用于太阳能热利用、建筑节能、高速列车轨道降温、电力电子散热等领域。
二、研究内容和方法
本研究旨在制备具有低红外发射率的涂层材料，研究其物理性质和应用性能。主要研究内容包括：
1.选择适合的材料组分，制备低红外发射率涂层材料。
2.利用红外反射法、红外辐射法等测试仪器，分析制备的涂层材料的物理性质，包