半导体工艺原理—离子注入掺杂工艺(6.11)(贵州大学).ppt

半导体制造工艺之离子注入原理课件.ppt 离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有电活性。注入离子如何在体内静止？ 1963年，Lindhard, Scharff and Schiott首先确立了注入离子在靶内分布理论，简称 LSS理论。该理论认为，注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程 (1) 核阻止（nuclear stopping） (2) 电子阻止（electronic stopping）总能量损失为两者的和核阻止本领与电子阻止本领-LSS理论阻止本领（stopping pow

2019-02-01 约4.49千字 38页立即下载

半导体工艺基础第七章掺杂技术-离子注入分解.ppt ;离子注入概述;离子注入; 离子束是一种带电原子或带电分子的束状流，能被电场或磁场偏转，能在高压下加速而获得很高的动能。离子束的用途掺杂、曝光、刻蚀、镀膜、退火、净化、改性、打孔、切割等。不同的用途需要不同的离子能量 E ： E 10 KeV ，刻蚀、镀膜 E = 10 ~ 50 KeV，曝光 E 50 KeV，注入掺杂 ;;

2017-04-18 约3.29千字 96页立即下载

半导体制造技术导论离子注入工艺.ppt * *

2018-05-25 约小于1千字 133页立即下载

半导体工艺原理--半导体工艺原理(贵州大学)技术知识.ppt 微电子工艺杨发顺 fashun@126.com;课程介绍;教学安排 1、理论教学：结合参考书目集中讲解IC制造工艺流程中每个工艺步骤和工艺原理； 2、实验教学:通过Silvaco公司的器件仿真软件(ATLAS)和半导体工艺模拟软件(Athena）完成双极型器件或MOS器件的设计。 3、考核方式：平时成绩30%（文献综述），卷面成绩70%（闭卷）。;主要参考书 1、半导体制造技术：（Semiconductor Manufacturing Techno

2018-04-15 约3.7千字 68页立即下载

半导体工艺原理---硅外延制备工艺(2013.3.25)(贵州大学).ppt * 外延层的内部缺陷层错层错形貌分为单线，开口，正三角形，套叠三角形和其他组态位错外延层中的位错主要是由于原衬底位错延伸引入的另外可能是由于掺杂和异质外延时，由于异类原子半径的差异或两种材料晶格参数差异引入内应力。例如在Si中掺B,P,它们的半径比Si小，它们占据硅的位置时，Si的点阵会发生收缩；当掺入AL,Sb等比Si半径大的原子时，Si点阵会发生扩张。也就是产生晶格点阵的失配。层错产生原因：衬底表面有损伤，或不干净减少层错的方法：用HCL腐蚀衬底表面去除损伤层及清洁硅片表面表面颗粒:与外延系统及衬底的清洁度有关，下图是用表面沾污仪测试结果

2017-10-05 约字 72页立即下载

半导体器件的离子注入工艺考核试卷.docx 半导体器件的离子注入工艺考核试卷考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________ 一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的） 1.离子注入工艺主要应用于以下哪种半导体器件的制造？（） A.二极管 B.集成电路 C.动态随机存储器 D.发光二极管 2.离子注入过程中，离子源通常采用以下哪种粒子？（） A.氧离子 B.硼离子 C.氩离子 D.铝离子 3.以下哪个参数对离子注入工艺的效果具有重要影响？（） A.注入能量 B.注入剂量 C.注入角度 D.所有以上选项 4.

2024-08-18 约4.6千字 8页立即下载

2016-03-21 约字 133页立即下载

半导体设备之离子注入机行业研究报告.docx 研究报告 PAGE 1- 半导体设备之离子注入机行业研究报告一、行业概述 1.1行业背景与意义 (1)半导体设备之离子注入机行业作为半导体制造过程中的关键设备，其发展历程与半导体产业紧密相连。随着全球半导体产业的快速发展，离子注入机在集成电路制造中的应用日益广泛，对提升芯片性能、降低能耗、提高生产效率等方面发挥着至关重要的作用。在当前全球科技竞争日益激烈的背景下，离子注入机行业的发展不仅关系到我国半导体产业的自主可控，更是推动我国从半导体大国向半导体强国迈进的重要支撑。 (2)离子注入机行业背景的形成，一方面源于全球半导体产业的快速发展，另一方面也与我国政策的大力支持密切相关。近年来，我国政

2025-02-22 约1.23万字 24页立即下载

离子注入半导体改性论文.docx 离子注入半导体改性论文摘要：随着科技的快速发展，半导体材料在各个领域中的应用越来越广泛。离子注入技术作为一种重要的半导体改性手段，对提高半导体材料的性能具有重要意义。本文针对离子注入半导体改性技术进行了深入探讨，分析了其原理、应用领域、优缺点等，旨在为相关领域的研究者和工程技术人员提供参考。关键词：离子注入；半导体改性；原理；应用；优缺点一、引言（一）离子注入半导体改性技术的原理 1.内容一：离子注入技术的基本原理（1）离子注入技术是一种将高能离子束轰击半导体材料表面，使离子嵌入半导体晶格中，从而改变材料电子结构和性能的方法。（2）离子注入过程涉及离子束与靶材的相互作用，主要包括

2025-04-16 约4.51千字 10页立即下载

半导体工艺掺杂原理与技术.pptx 微电子工艺学 MicroelectronicProcessing 第四章掺杂原理与技术张道礼教授 Email: Voice:4.1掺杂掺杂（doping）：将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并获得精确的杂质分布形状（doping profile）。 NMOSBJTBEC pn+n+ p+n-p+ n+ pwellp 掺杂应用：MOSFET：阱、栅、源/漏、沟道等 BJT：基极、发射极、集电极等 4.1掺杂目的：改变晶片基本概念：结电学性质，实现深xj 器件和电路纵向（Junction Depth）；薄结构。层电阻Rs方式：扩散（Sheet （diffusion）、 Res

2025-05-19 约10.97万字 168页立即下载

半导体离子注入设备国产化分析报告.docx 研究报告 PAGE 1- 半导体离子注入设备国产化分析报告一、引言 1.1国产半导体离子注入设备的市场背景 (1)随着全球半导体产业的快速发展，半导体离子注入设备作为半导体制造过程中的关键设备，其市场需求持续增长。在过去的几十年里，我国半导体产业取得了显著的进步，但离子注入设备领域仍依赖进口，国产化进程成为推动产业升级的重要任务。市场对国产离子注入设备的需求日益旺盛，不仅有助于降低生产成本，还能提升我国在半导体领域的国际竞争力。 (2)近年来，我国政府高度重视半导体产业的发展，出台了一系列政策支持国产化进程。随着国家战略的推进，国内企业加大了对离子注入设备的研发投入，技术水平逐步提升。与此同

2025-02-22 约1.12万字 21页立即下载

离子注入技术在半导体中的应用与研究进展.docx PAGE 3 摘要　　离子注入是半导体掺杂以及改性的一个常用工艺。相比于其他传统的掺杂方法，离子注入技术属于纯物理过程，掺杂过程除了掺杂元素不会引入任何其他杂质元素。此外，具有较好的可控性和可重复性。本文主要介绍了：（1）离子注入技术的工作原理，装置系统和发展状况；（2）半导体材料的基本概念及应用；（3）离子注入技术在半导体材料领域的研究与发展。关键词：离子注入；半导体材料；半导体掺杂 第1章序言　　半导体材料以其独特的优势和非凡的特性成为现代技术发展的基础，因此也自然而然的受到人们的普遍关注。它是人们福音，在各方面造福我们大家，尤其是在通信技术方面；大容量信息处理方面，比如集

2023-06-19 约8.63千字 22页立即下载

离子注入技术在半导体中的应用与研究进展.docx PAGE3 摘要离子注入是半导体掺杂以及改性的一个常用工艺。相比于其他传统的掺杂方法，离子注入技术属于纯物理过程，掺杂过程除了掺杂元素不会引入任何其他杂质元素。此外，具有较好的可控性和可重复性。本文主要介绍了：（1）离子注入技术的工作原理，装置系统和发展状况；（2）半导体材料的基本概念及应用；（3）离子注入技术在半导体材料领域的研究与发展。关键词：离子注入；半导体材料；半导体掺杂 第1章序言 半导体材料以其独特的优势和非凡的特性成为现代技术发展的基础，因此也自然而然的受到人们的普遍关注。它是人们福音，在各方面造福我们大家，尤其是在通信技术方面；大容量信息处理方面，比如集

2024-12-23 约2.32万字 49页立即下载

校正离子注入半导体制造工具中的部件故障.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113383282 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 202080012043.5 (74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理

2023-06-16 约3.1万字 26页立即下载

先进半导体离子注入设备销售与技术支持服务协议.docx 甲方：XXX乙方：XXX20XXCOUNTRACTCOVER专业合同封面RESUME 甲方：XXX 乙方：XXX 20XX COUNTRACTCOVER 专业合同封面 RESUME PERSONAL 先进半导体离子注入设备销售与技术支持服务协议甲方（采购方）：甲方名称：______ 甲方地址：______ 甲方联系方式：______ 法定代表人（如有）：______ 乙方（供应方）：乙方名称：______ 乙方地址：______ 乙方联系方式：______ 法定代表人（如有）：______ 一、设备描述 1.设备名称与规格设备1：名称为______，规格为______（详细说明如尺寸、

2025-05-25 约3.05千字 9页立即下载