SONOS非易失性存储器件研究进展.pdf

第9卷，第8期 电子与封装 总第76期 V01．9．NO．8 2009年8月 ELECTRONICSPACKAGING i蠹一重，堕x童‘遣jl兮‘。熏：蠢：够 SONOS非易失性存储器件研究进展 曾 俊，傅仁利，宋秀峰，张绍东，钱凤娇 (南京航空肮天大学材料科学与技术学院，南京210016) 摘要：随着半导体存储器件的小型化、微型化，传统多晶硅浮栅存储因为叠层厚度过大，对隧 穿氧化层绝缘性要求过高而难以适应未来存储器的发展要求。最近，基于绝缘性能优异的氮化硅 的SONOS非易失性存储器件，以其相对于传统多晶硅浮栅存储器更强的电荷存储能力，易于实现 小型化和工艺简单等特性而重新受到重视。文章论述了sONOS非易失性存储器件的存储原理和存 储性能的影响因素研究进展，并在材料、工艺与结构设计等方面对SONOS存储器件性能改进的研 究进展情况进行了分析和讨论。 关键词：存储；硅／二氧化硅／氮化硅／二氧化硅／硅；氮化硅；非易失性；势阱；纳米晶 中图分类号：TN303 文献标识码：A ofSONOSNonvolatileDevice Progress Memory ZENG Jun，FURen—li，SONG Xiu-feng，ZHANGShao-dong，QIANFeng-jiao Scienceand and (CollegeofMaterials Technology，NanjingUniversityofAeronauticsAstronautics， Nanjin9210016，China) the micromationofsemiconductor float- Abstract：Withminiaturizationand memories，conventional polysilicon tO stack memoriesareunablemeetthe offuture ofits and ing-gate developmentsmemories，becausehigh height extreme ofthetunnel device memory goodinsulatingperformancerequirements oxide．Recently，nonvolatile insulatorsilicon been becauseofitsbetter basedonexcellent nitride，have regardedagain chargestoring size and technics w