可见光响应型窄带隙半导体光催化材料研究及应用进展.pdf

( ) ·24 · 材料导报 :综述篇 　 　2009 年 2 月 上 第 23 卷第 2 期 可见光响应型窄带隙半导体光催化材料的研究及应用进展 张 　彤 , 张悦炜 ,张世著 ,陈冠钦 ,洪樟连 (浙江大学材料科学与工程学系 ,杭州 3 10027) 摘要 　　近年来 ,窄带隙半导体材料因具有吸收太阳光可见波段能量 、可见光催化降解有机物及可见光解水制 氢的优异特性而成为新型半导体材料的研发热点 。综述了以 TiO2 为代表的传统半导体材料掺杂体系以及全新组成 材料体系等两大类具有窄带隙半导体特性的材料种类 、光催化性能的影响因素 、材料制备工艺以及应用前景 ,并在此 基础上展望了研究与发展方向。 关键词 　　窄带隙半导体 　可见光催化 　可见光解水 　带隙　制备工艺 Research and Appl ications of Visible L ight Responsive Narrow Band Gap Semiconductor Photocatalytic Material s Z HAN G Tong , Z HAN G Yuewei , Z HAN G Shizhu , C H EN Guanqin , HON G Zhanglian (Dep art ment of Mat erial s Science and Engineering , Zhej iang U niver sit y , Hangzhou 3 10027) Abstract 　　In recent year s , narrow band gap semiconductor s have att ract ed ext en sive att ention and become t he research focu s of t he novel semiconductor mat erial s becau se t hey are cap able of ab sorbing t he vi sible light , degrading t he or ganic pollut ant s and p roducing clean ener gy by sp litting t he wat er into hydro gen and oxygen under vi sible light irradiation . In t hi s p ap er t he mat erial classification , factor s cont rolling t he p hotocat alytic p erformance , mat erial syn t hesi s t echnique and fut ure application of two kinds of mat erial s wit h narrow band gap charact er s , t he mo dified tit ania and new narrow band gap semiconductor are summarized . Finally , t he develop ment t rend of t heir research and applica tion i s al so di scu ssed . Key words 　　narrow band gap semiconductor , vi siblelight cat aly si s , wat er spiltting , band gap