B-N链掺杂石墨烯纳米带电子结构的第一性原理研究的中期报告.docx

B-N链掺杂石墨烯纳米带电子结构的第一性原理研究的中期报告 目前为止，我们已经完成了B-N链掺杂石墨烯纳米带的第一性原理计算，并得出了有关该结构的一些重要结果。 我们使用了密度泛函理论（Density Functional Theory, DFT）以及VASP程序包进行了计算。我们考虑了具有4个B-N链的石墨烯纳米带，并进行了计算，以研究B-N链的掺杂对该系统的影响。我们还计算了掺杂B-N链的两种不同位置：外部（与石墨烯平面相邻的B-N链）和内部（与石墨烯平面垂直的B-N链）。 我们的计算结果表明，掺杂B-N链不仅可以改变石墨烯纳米带的电子结构，而且还可以影响导电性质。 具体而言，掺入B-N链会在石墨烯纳米带的带隙中引入能级，并增加其导电性。此外，掺入B-N链还可以使电子局域化，从而改变石墨烯纳米带的电子输运性质。 对于内部掺杂的B-N链，我们发现其效果比外部掺杂要强。特别地，我们发现内部掺杂的B-N链可以有效地减小石墨烯纳米带的带隙，并产生比外部掺杂更大的能带扩展。此外，内部掺杂还可以引入额外的态密度，并增强石墨烯纳米带的导电性质。 我们的结果表明，掺入B-N链可以有效地改变石墨烯纳米带的电子结构和导电性质，这对于石墨烯纳米带的相关应用具有重要意义。我们将在后续工作中进一步探索B-N链掺杂石墨烯纳米带的可能性，并考虑其他杂原子的掺杂。