模电复习大纲(华科大版).ppt

知识要点： 1. 放大电路是双口网络：P7 一个信号输入口，一个信号输出口 （1）四种放大电路：P8 电压放大、电流放大、互阻放大和互导放大 （2） 四种放大电路增益P9-11 电压增益、电流增益、互阻增益和互导增益 2. 放大电路的主要性能指标：P12 衡量放大电路的品质优劣的标准 （1）输入电阻 P12 （2）输出电阻 P13 （3）增益（分贝）P15 （4）频率响应 P15 带宽/通频带、幅度失真、相位失真（注意：幅度失真和相位失真几乎是同时发生的） 知识要点： 1. 理想运算放大器 P26 2. 基本线性运放电路 P27 （1）同相放大电路 （2）反相放大电路 3. 虚短和虚断 P29 4. 基本线性运放电路的其他应用 P34 求差、以用放大器、求和、积分、微分 知识要点： 1. 杂质半导体 N型半导体——掺入五价杂质元素的半导体。 P型半导体——掺入三价杂质元素的半导体。 自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子 空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子 2.载流子的漂移与扩散 由电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。 3. PN结 （1） PN结的形成过程 （2） PN结的单向导电性：正向导通、反向截止 P62 IS ——反向饱和电流 VT ——温度的电压当量 （3）反向击穿 P65-66 （4）电容效应 ① 扩散电容CD P67 ② 势垒电容CB P67 4. 二极管 （1） 伏安特性 P69 （2）主要参数 P71 最大整流电流、反向击穿电压、反向电流、极间电容、反向恢复时间 （3）二极管的分析方法 ① 图解分析方法 （P73） 例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 解：由电路的KVL方程，可得 即 是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线 Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为电路的工作点 ② 简化模型分析方法 理想模型 （a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型 恒压降模型 （a）V-I特性 （b）电路模型 折线模型 （a）V-I特性 （b）电路模型 小信号模型 知识要点： 1. 三极管 （1）两种类型：NPN型和PNP型 结构特点： 发射区的掺杂浓度最高 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低 （2） 放大状态下BJT的工作原理 ① 内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 ② 外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 （3） BJT的V-I 特性曲线 （以共射极放大电路为例） ① 输入特性曲线 P108 ② 输出特性曲线P109 （4） BJT的主要参数 P111 （5） 温度对BJT参数及特性的影响 P114 2. 放大电路的分析方法 （1）图解分析法 P119 （2）小信号模型分析法 P126 3. 放大电路静态工作点的稳定问题 基极分压式射极偏置电路 共射极放大电路： 电压和电流增益都大于1，输入电阻在三种组态中居中，输出电阻与集电极电阻有很大关系。适用于低频情况下，作多级放大电路的中间级。 共集电极放大电路： 只有电流放大作用，没有电压放大，有电压跟随作用。在三种组态中，输入电阻最高，输出电阻最小，频率特性好。可用于输入级、输出级或缓冲级。 共基极放大电路： 只有电压放大作用，没有电流放大，有电流跟随作用，输入电阻小，输出电阻与集电极电阻有关。高频特性较好，常用于高频或宽频带低输入阻抗的场合，模拟集成电路中亦兼有电位移动的功能。 4. 放大电路三种组态的比较 5. 组合放大电路 分析思路：化整为零，逐一求解 （1）静态分析：近似估算法 （2）动态分析：小信号模型分析法 6. 放大电路的频率响应 单时间常数RC电路的频率响应 波特图 知识要点： 1. 几个概念 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 沟道 2. N沟道增强型MOSFET工作原理 vDS和vGS 开启电压 转移特性 输出特性 3.V-I 特性曲线 4. MOSFET放大电路 （1）静态分析 （2）动态性能指标分析 （3）图解分析法和小信号模型分析法 5. 各种放大器件电路性能比较 p240 知识要点： 1. 恒流源: BJT、FET 2. 差分式放大电路 （1）任务：减小零漂 （2）差模和共模 （3）射极耦合差分式放大电路 ① 双端输入、双端输出 ② 双端输入、单端输出 ③ 单端输入、双端输出 ④ 单端输