深圳市瑞之辰科技有限公司.PDF

深圳市瑞之辰科技有限公司 RZC3603B 单片式高性能同步整流控制 IC 功能描述 RZC3603B 是一款高性能高集成度单片式次级同步整流控制 IC，内部集成一个超低导 通阻抗的N 沟道的MOSFET 以及一个同步整流的驱动及控制电路。RZC3603B 被设计在非 连续开关模式(DCM)下工作，内部集成高性能N 沟道的MOSFET 具有低开启阀值电压、超 低导通阻抗,超快速开关特性，同时本体寄生的二极管具备超快速的反向恢复时间。 RZC3603B 应用在输出为 5V 标准的反激控制的开关电源系统中替代次级整流二极管功能， RZC3603B 能有效的降低次级整流管的功率损耗，内部电路通过检测MOSFET 的VDS 之间 的电压变化产生一个理想的驱动信号来控制内部 MOSFET 的导通与截止，在尺寸要求更小 转换效率要求更高的应用场合采用RZC3603B 将为客户提供个一个优异的解决方案。 RZC3603B 在检测到输出轻载或者空载时自动关闭内部电路进入睡眠模式，具有极低的 静态损耗。内建完善的保护电路，当电路处于不正常工作状态时，RZC3603B 将触发相应的 保护电路工作，控制器将关闭驱动电路进入保护状态。 RZC3603B 提供ESOP-8 封装形式。 功能特性  工作在非连续模式(DCM)的次级同步整流控制器  内部集成高性能N 沟道MOSFET  超快速开管能力的驱动电路  超低启动及静态工作电流  高集成度、只需极少的外围器件  完善的保护电路(OVP/UVLO)  空载轻载超低损耗 应用领域  适配器/充电器/ADSL 调制解调器  辅助电源电路  其他小功率电源电路 深圳市瑞之辰科技有限公司 / 版本号 ：V1.0 地址：深圳市龙华新区梅龙路 441 号光浩国际中心 26 层 A-C 室 更新时间：2016/ 10/ 10 深圳市瑞之辰科技有限公司 RZC3603B 单片式高性能同步整流控制 IC 引脚图示 图1.管脚定义（顶视），ESOP-8 封装，底部散热片连接至 DRAIN 引脚定义 引脚号 引脚名 描述 1 DRISR 内部 MOSFET 的 Gate 端 ，按实际需要接 4.7nF 左右 电容到地 2 VDET 同步电压信号侦测输入端，外接 20Ω电阻连接到 DRAIN 脚 2 3 4 3 AREF 同步电压信号参考，通过电阻连接到 GND ，R 阻值可以设置最小截止时间 SET 4 VCC 内部电路电源供应脚，外接 0.1uF 滤波电容 5 DRAIN 内部 MOSFET 漏极 ，芯片底部散热片连接至 DRAIN 脚 6 ，7 ，8 GND