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M1A3P600-1PQG144ES中文资料(Actel)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」.pdf

发布:2017-07-03约2.01万字共5页下载文档
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芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn v1.0 闪存闪存ProASIC3系列系列FPGA ® 通过可选软通过可选软ARM ® 支撑支撑 特点和优点特点和优点 •1.5 V,1.8 V,2.5 V和3.3 V混合电压操作 •插槽可选I / O电压,高达每片4组 高容量高容量 •单端I / O标准:LVTTL,LVCMOS 3.3 V / •15 K至1M系统门 2.5 V / 1.8 V / 1.5 V, 3.3 V PCI / 3.3 V PCI- † 和LVCMOS •高达144千比特真双端口SRAM 2.5 V / 5.0 V输入 •多达300用户I / O •差分I / O标准:LVPECL,LVDS,B-LVDS,和 编程编程Flash技术技术 M-LVDS (A3P250及以上) • 130纳米,7层金属(6铜),基于闪存CMOS工艺 •I / O寄存器输入,输出,并启用路径 • 上电即行(LAPU)0级支持 •支持热插拔,冷饶让I / O ‡ • 单芯片解决方案 •可编程输出摆率 † 和驱动强度 • 防护留编程设计时已关闭 •弱上拉/ -Down 高性能高性能 •IEEE 1149.1 (JTAG)边界扫描测试 •350 MHz系统性能 •引脚兼容横跨ProASIC3系列套餐 •3.3 V,66 MHz64位PCI †
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