va sp经验总结.ppt

vasp计算总结 加U（LMCO为例） LDAU=.TRUE. LDAUTYPE=2 LDAUL= -1 2 2 -1 LDAUU=0 5.5 4 0 LDAUJ=0 1.5 1 0 #The simplified (rotationally invariant) approach to the LSDA+U #specifies the l-quantum number for which the on-site interaction is added (-1=no on-site terms added, 1= p, 2= d, 3= f, Default: LDAUL=2) #specifies the effective on-site Coulomb interaction parameters #specifies the effective on-site Exchange interaction parameters. ISTART=1 ICHARG=11 ISMEAR= -5 LORBIT=11 用VASP计算DOS 准备好KPOINTS文件，增加k点网格 将上一步自洽计算得到的CHG、CHGCAR拷贝至同一目录下 用VASP计算能带 ISTART= 1 ICHARG = 11 NBANDS一般可以用默认，有时候可以适当增加 ISMARE=-5 不可用。 半导体或绝缘体用0，金属用1 NAME 20 Line-mode Rec 0.0 0.0 0.0 0.0 0.5 0.0 0.0 0.5 0.0 0.5 0.5 0.0 0.5 0.5 0.0 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.0 0.0 0.0 简立方的高对称点 能带处理： 程序 band.cpp，g++编译，得到可执行文件a.out vasp计算得到EIGENVAL,删除前七行 grep -v E EIGENVAL band.in ./a.out 运行，得到bnd000.dat bnd000.dat文件的第一列数据是k点距离的绝对值，第二列数据是以Ferim level为参考的本征值。 简立方的高对称点 60 60 1 1 0.1158924E+02 0.5522500E-09 0.2280000E-08 0.5522500E-09 0.5000000E-15 1.000000000000000E-004 CAR YFTO 492 32 300 0.3742002E-15 0.1262379E-14 0.3742002E-15 0.1388889E-01 1 -46.511682 2 -46.511280 3 -46.451176 4 -46.449273 5 -46.199455 6 -46.197355 第8行的前三个数是k点的坐标，第四个数是相应k点的权重。 第一行，前三个整数无意义，第四个整数，如果是2, 表示是自旋极化的计算，如果是1, 表示非自旋极化的计算。 第2至5行的数据含义不大明确，可以不管它。 第6行的数据表示：第一个数表示体系总的价电子数目，第二个数表示的计算能带时总的k点数目，第三个数表示的是计算能带时计算了多少条能带。 第9行给出的是该k点对应的本征值的序号(即第几条能带)，及相应的本征值。 能量本征值文件EIGENVAL POSCAR.sh chmod +x POSCAR.sh 改为可执行文件 ./POSCAR.sh 运行 #!/bin/sh rm WAVECAR for i in 7.6 7.7 7.8 7.9 8.0 8.1 8.2 8.3 8.4 8.5 8.6 （改为要计算的值） do cat POSCAR ! (POSCAR文件，要计算的量改为 $i) ! echo $i ; mpirun -np 10 vasp display.log E=`grep TOTEN OUTCAR | tail -1 | awk {printf %12.6f \n, $5 }` mv display.log display.log-$i mv OUTCAR OUTCAR-$i mv DOSCAR DOSCAR-$i echo $i $E comment done 找最低能量的晶格参数C VASP中，用Berry Phase的方法计算极化值 INCAR中要添加