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AT45DB081闪存.pdf

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Features • Single 2.7V - 3.6V Supply • Serial Interface Architecture • Page Program Operation – Single Cycle Reprogram (Erase and Program) – 4096 Pages (264 Bytes/Page) Main Memory • Two 264-Byte SRAM Data Buffers – Allows Receiving of Data while Reprogramming of Non-Volati

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