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InP基1.55μm波长高性能波导探测器研制的开题

报告

题目：InP基1.55μm波长高性能波导探测器研制

一、研究背景

随着通信技术的飞速发展，光通信时代已经到来。在光通信中，探

测器发挥着重要作用。探测器的发展不仅对光通信的可靠性、传输速度、

距离等方面有着积极的促进作用，更是极具商业价值的技术领域。近年

来，InP基探测器由于其在1.55μm波长的响应高、噪声小等特性，成为

了一种研究热点。基于此，我们决定研制一种InP基1.55μm波长高性能

波导探测器。

二、研究内容

本研究拟从以下几个方面进行探测器的研制：

1.器件设计：对于1.55μm波长探测器，我们将采用InP基材料，设

计单输出纵向接收型波导探测器，具有高灵敏度和快速响应等特点。

2.材料制备：本研究将采用金属有机分解（MOCVD）技术，制备

InP基材料。采用MOCVD技术制备的材料质量稳定性高、均匀性好。

3.器件加工：通过电子束光刻技术进行掩膜制作，使用化学腐蚀、

离子注入等工艺，制作出高精度、高质量、尺寸精确的1.55μm波长高性

能波导探测器。

4.器件测试：使用测试平台对制作完成的探测器进行性能测试，包

括光谱响应特性、零偏电流、响应速度、噪声等参数。

三、研究计划

本研究计划分为三个阶段：

第一阶段：预研阶段，主要进行文献调研、器件设计、材料制备等

工作。

第二阶段：工艺流程优化和加工工艺开发，试制出第一批的器件进

行测试，不断优化和完善工艺方案。

第三阶段：进行多次实验测试和性能优化，并对探测器进行封装和

应用测试，最终实现研发成果的产业化。

四、预期成果

本研究的预期成果是研制出一款InP基1.55μm波长高性能波导探

测器，具有高灵敏度、快速响应、低噪声等优异特性。达到以下指标：

1.最大量子效率（QE）＞85%

2.零偏电流（Id）＜3mA

3.响应速度（R.T）＜50ps

4.噪声电流密度（NEP）＜5.5×10-14W/Hz1/2

五、研究意义

本研究的成果对于推进光通信技术的发展，提高探测器的灵敏度和

响应速度，实现高速、稳定、远距传输具有重要的意义。同时，也将在

市场上具有很大的商业价值。