芯片级原子钟用半导体激光器技术规范.docx
1
芯片级原子钟用半导体激光器技术规范
1范围
本文件规定了芯片级原子钟用半导体激光器的分类、技术要求、测试要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等内容。
本文件适用芯片级原子钟用半导体激光器的研制、生产、交付和测试等。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T191包装储运图示标志
GB2894安全标志及其使用导则
GB4793.1测量、控制和实验室用电气设备的安全要求第1部分:通用要求GB/T4857.23包装运输包装件基本试验第23部分:垂直随机振动试验方法GB/T6388运输包装收发货标志
GB7247.1激光产品的安全第1部分:设备分类、要求GB/T12339防护用内包装材料
GB/T15313激光术语
GB/T26599.1激光和激光相关设备激光光束宽度、发散角和光束传输比的试验方法第1部分:无像散和简单像散光束
GB/T31358半导体激光器总规范
GB/T31359—2015半导体激光器测试方法SJ/T11587电子产品防静电包装技术要求
BSENISO13694光学和光子学激光和激光相关设备激光光束功率(能量)密度分布的测试方法(Opticsandphotonics-Lasersandlaser-relatedequipment-Testmethodsforlaserbeampower(energy)densitydistribution)
ISO11554光学和光子学激光器和激光相关设备激光光束功率、能量和时间特性的测试方法(Opticsandphotonics-Lasersandlaser-relatedequipment-Testmethodsforlaserbeampower,energyandtemporalcharacteristics)
3术语和定义
GB/T15313、GB/T26599.1、BSENISO13694和GB/T31358界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
半导体激光器semiconductorlaser以半导体材料为激光介质的激光器。
[来源:GB/T15313—2008,2.4.10]3.2
峰值波长peakwavelength
激光辐射光谱中发光强度或辐射功率最大处所对应的波长。[来源:GB/T31358-2015,3.9]
3.3
中心波长centralwavelength
2
光谱强度最大值的一半处所对应的上升沿和下降沿最大宽度的中点对应的波长。
[来源:GB/T31358—2015,3.10]3.4
谱线宽spectrallinewidth
谱功率(或能量)为其峰值一半处所对应波长(或频率)的最大间隔,Δλ表示波长谱宽度,Δv表示频率谱宽度。
[来源:GB/T15313—2008,2.1.23]3.5
阈值电流thresholdcurrent
使激光器内光子增益等于或大于腔内总损耗,从而产生激光的最小驱动电流。[来源:GB/T31358—2015,3.7]
3.6
功率密度分布powerdensitydistribution
位于z点横向平面上所有横向坐标(x,y)具有非负值的连续波激光光束功率密度的集合。
[来源:BSENISO13694—2018,3.1.1]3.7
光束宽度beamwidths
在z点横向平面上,光束在x和y方向上的宽度dσx(z)和dσy(z),等于质心的功率(能量)密度分布的二阶矩的平方根的四倍。
[来源:BSENISO13694—2018,3.2.4]3.8
光束直径beamdiameter
以二阶矩为基础的圆形功率密度分布的范围。
[来源:GB/T26599.1—2011,3.8]3.9
光束发散角beamdivergenceangles
光束宽度或光束直径随着离束腰位置距离的增加而增大的程度。[来源:GB/T26599.1—2011,3.15]
4分类
4.1按结构分为分布反馈半导体激光器、布拉格反射半导体激光器、垂直腔面发射激光器、外腔半导体激光器等。
4.2按出光方向分为边发射、垂直腔面发射。
4.3按衬底材料分为砷化镓激光器、磷化铟激光器、氮化镓激光器、锑化镓激光器等。
5技术要求
5.1外观质