元件静电敏感度.doc

元件静电敏感度 ?元器件静电敏感度等级 静电敏感器件静电敏感度 静电敏感度等级 特一级 特二级 一级 二级 三级 静电耐受能力 0V-500V 500V-1000V 1000V-2000V 2000V-4000V 4000V-8000V 代表器件 GaAs 器件、光发送接受器件、管芯 CMOS集成 电路 TTL集成电路 二极管、三极管、继电器 阻容器件、开关、变压器 一般规定，静电损伤电压不小于16000V的为静电不敏感器件，小于16000V的为静电敏感器件。 静电敏感度分级： ?1级：不大于1999V? ?2级：2000～3999V? 3级：4000～15999V? ?ESDS产品及其组件应有 ESD保护电路，其最低要求应耐 ESD电压值为： ?组件：不低于2000V? ?产品：不低于4000V? 电子元器件静电敏感度的分级： ?1级（≤1999V）ESDS元器件 ?a．微波器件（萧特基二极管，点接触二极管和f1GHZ的检波二极管）； b．MOS场效应晶体管（MOSFET）； ?c．结型场效应晶体管（JFET）；? d．?声表面波器件（SAW）；? e．电荷藕合器件（CCD）； f．精密稳压二极管（线性或负载电压调整率小于0.5％）；? g．运算放大器（OP?AMP）；? h．集成电路（IC）；? i．混合电路（由1级ESDS元器件组成）；? j．特高速集成电路（VHSIC）；? k．薄膜电阻器? l．可控硅整流器（Pt≤100mW，Ic100mA）。? 2级（2000～3999V）ESDS器件：? a．?MOS场效应晶体管；? b．结型场效应晶体管； ?c．运算放大器；? d．集成电路；? e．特高速效应晶体管； ?f．精密电阻网络（RZ型）； ?g．混合电路（2级ESDS元器件组成）；? h．低功率双极型晶体管（Pt≤100mW，Ic100mA）。 ?3级（4000～15999V）ESDS元器件：? a．?MOS场效应晶体管；? b．结型场效应晶体管；? c．运算放大器；? d．集成电路； ?e．特高速集成电路； ?f．?ESDS1级或2级不包括的所有其他电子元器件； ?g．小信号二极管（P1W，I1A）；? h．一般硅整流器；? i．可控硅整流器（I0.175A）；? j．小功率双极型晶体管（350mWP100mW和400mWP100mW）；? k．?光电器件（光电二极管、光电晶体管、光电耦合器）； ?l．片状电阻器；? m．混合电路（3级ESDS元器件组成）； ?n．压电晶体。? 1.1?易受损伤的器件和部位结构上有下述特点的器件易受静电损伤：?芯片尺寸小、热容量小、小信号器件、高频器件、微细金属化、浅EB结、薄栅氧化层等。? ?器件易受损伤的部位有： ?输入电路、输出电路的高阻部分，扩散区边缘，金属化区边缘等区域。 ?