文档详情

模拟电子技术基础简明教程-(第三版)第一章.ppt

发布:2017-08-22约1.3万字共99页下载文档
文本预览下载声明
作业 1-7、1-8 作业 1-13、1-14 一. 结型场效应管 1. 结型场效应管的结构(以N沟为例) 2. 结型场效应管的工作原理 在栅源间加负电压uGS ,令uDS =0 ①当uGS=0时,为平衡PN结,导电沟道最宽。 (2)漏源电压对沟道的控制作用 设uDS=0V, uGS>0V时→栅底平行板电容器产生纵向电场 ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用 当uGS>UGS(th),且固定为某一值时,分析漏源电 压VDS对漏极电流ID的影响(设UGS(th)=2V, uGS=4V) ②转移特性曲线: iD=f(uGS)?uDS=const 2.N沟道耗尽型MOSFET 当uGS=0时,就有沟道,加入uDS,就有iD。 当uGS>0时,沟道增宽,iD进一步增加。 当uGS<0时,沟道变窄,iD减小。 作业 1-16,1-17 二、输出特性曲线 iC(mA) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 放大区IC=βIB 截止区 IB≈0,IC≈0 饱和区 iC不随iB变,随uCE急变,ICβIB iC=ICEO穿透电流 Rb Rc VBB VCC e c b IE IC IB 输出特性三个区域的特点: (1) 截止区:发射结反偏,集电结反偏 UBE 0 , UBC 0 ,IB=0 , IC=ICEO ?0 (2) 放大区:发射结正偏,集电结反偏 UBE0 , UBC0 IE=IC+IB,, IC=?IB , 且 ?IC = ? ?IB (3) 饱和区:发射结正偏,集电结正偏UBE0 , UBC0 IC?IB,UCE?0.3V(饱和电压) 临界饱和时, UBE=UCE UBC=0 N P N Rb Rc e c b IE IC IB UB UE UC VBB VCC UBE0,UBC0 发射结反偏; 集电结反偏; 工作在截止区 UBE0,UBC0 发射结反偏; 集电结反偏; 工作在截止区 UBE0,UBC0 发射结正偏; 集电结正偏; 工作在饱和区 [例1.3.1] 判断图示各电路中三极管的工作状态。 0.7V VT 0.3V Rb Rc VCC VBB VT Rb Rc VCC VT 例1: ?=50, VCC =12V, Rb =70k?,RC =6k?,UBE=0.7V 分析VBB = -2V,2V,5V时晶体管的工作状态。 解:①当VBB = -2V时: UBE0V,晶体管截止 IB=0 , IC=0 IC UCE IB VCC Rb VBB C B E RC UBE IE ②当VBB =2V时: UBE0,晶体管导通 IC最大饱和电流: IC ICmax 工作在放大区。 例1: ?=50, VCC =12V, Rb =70k?,RC =6k?,UBE=0.7V 分析VBB = -2V,2V,5V时晶体管的工作状态。 IC UCE IB VCC Rb VBB C B E RC UBE IE ③当VBB =5V时: UBE,晶体管导通 IC最大饱和电流: IC ICmax 工作在饱和区。 或者:假设工作在放大区 假设错误,工作在饱和区。 四、 三极管的主要参数 2. 反向饱和电流 β = ΔiC Δ iB β ≈ IC IB 共基直流电流放大系数 α α = ΔiC ΔiE 共基电流放大系数α α = IC IE β 共射直流电流放大系数 集电极和基极之间的反向饱和电流 ICBO 集电极和发射极之间的穿透电流 ICEO ICEO =(1+ )ICBO β 两者满足 1. 电流放大系数 共射电流放大系数β 3. 极限参数 a. 集电极最大允许电流 ICM iC/mA O uCE/V 三极管的安全工作区 过流区 集射反向击穿电压U(BR)CEO 集基反向击穿电压U(BR)CBO iCuCE=PCM 过压区 安 全 工作区 ICM 过 损 耗 区 U(BR)CEO c. 极间反向击穿电压 b. 集电极最大允许耗散功率 PCM 五、 PNP型三极管 PNP型三极管的放大原理与NPN型基本相同,外部电流关系相同,但外加电源的极性相反、电流方向相反。 VBB ui Rb Rc VT + - uO VCC VBB ui Rb Rc VT + - uO VCC IB IC IE IB IC IE IE = IC + IB IC ≈ βIB IE =( 1+ β )IB 第四节 场效应三极管 结型场效应管 绝缘栅场效应管 场效应管的主要参数 场效应三极管中参
显示全部
相似文档