微光像增强器信噪比与MCP电压关系.pdf

第 3O卷 第4期 应用光学 Vo1．30 No．4 2009年 7月 JournalofAppliedOptics Ju1．2009 文章编号：1002—2082(2009)04—0650—04 微光像增强器信噪比与MCP电压关系 刘术林 ，董煜辉 ，孙建宁。，邓广绪 (1．北方夜视技术股份有限公司 西安分公司，陕西 西安 710065； 2．北方夜视技术股份有限公司 昆明分公司，云南 昆明 650114； 3．北方夜视技术股份有限公司 南京分公司，江苏 南京 210110) 摘 要 ：为了揭示微通道板电压的变化对微光像增强器信噪 比的影响，进一步优化像增强器的性 能，分别测试出超二代和三代微光像增强器的信噪比随微通道板的电压变化曲线，前者在微通道 板 电压为600V～800V 时，信噪 比单调增加到25．9，在800V～900V 时，信噪比在25上下震 荡并呈下降趋势，在900V～1000V 时，迅速下降到21．8；而后者当MCP电压在800V～1000 V时，单调增加到27．87，在800V～1180V 时，则在26．61～28．66之间震荡。通过对微通道 板噪声因子的理论分析，指出进一步降低微通道板噪声因子，改善微光像增强器信噪比的方法。 关键词 ：微通道板；微光像增强器；信噪比；噪声 因子 中图分类号：TN144 文献标志码 ：A Relation between signal—t0一nOiseratioofLLL image intensifierandvoltage0fM CP LIU Shu—lin，DONG Yu—hui。，SUN Jian—ning ，DENG Gua~g—XU (1．Xi’anBranch，NorthNightVisionTechnologyCo．Ltd．，Xi’an ，710065，China； 2．KunmingBranch，NorthNightVisionTechnologyCO．Ltd，Kunming，650114，China； 3．NanjingBranch，NorthNightVisionTechnologyCo．LtdtNanjing，210110，China) Abstract：Inordertorevealtheinfluenceofthevoltagevariationofmicrochannelplateonthe signal—to—noise ratio ofLLL image intensifierand optimize the performance ofthe image intensifier，the curves that the signal—to—noise ratio of super Gen IIand Gen III image intensifiersvariateswiththevoltageofamicrochannelplatewereobtainedbytheaidofasignal— to—noiseratiotester．AsforthesuperGenIIimageintensifier，when themicroehannelplate’S voltageisin therangeof600——800V ，thesignal—to—noiseratioismonotonically increased tO 25．9，when itiSintherangeof80O～900V ，theratioiS25orsoandhasdowntrend，andwhen 9OO～ 1000V ，theratioisrapidlydecreasedto21．8．AsfortheGenIIIimageintensifier，when the