文档详情

NiSe2有序纳米线阵列的合成及其超高电容储能研究.docx

发布：2024-11-22约1.07万字共11页下载文档
文本预览下载声明

PAGE2

NiSe2有序纳米线阵列的合成及其超高电容储能研究

摘要：采用一步溶剂热法成功制备了生长在泡沫镍上的NiSe2纳米线阵列。表征表明生长在泡沫镍上的NiSe2纳米线直径为40-60nm，长度约为2μm。电化学性能测试是在3molL-1KOH电解质溶液中进行，结果表明：NiSe2纳米线阵列结构在电流密度为1Ag-1时质量比电容高达2487Fg-1。在经过5000次循环后，NiSe2纳米线阵列电极的电容保持率为80.20%，表现出优异的循环稳定性和良好的能量存储行为。这些结果表明NiSe2纳米线陈列作为电极材料在电化学领域将会有巨大的研究意义和应用价

显示全部
相似文档