IC 制程简介.pdf

IC 製程簡介 FAB4 DRAM Process Integration Contents 1. 製程原理簡介 : a. 擴散 oxidation, doping b. 薄膜 CVD, PVD c. 微影 d. 蝕刻 dry, wet etching e. 化學機械研磨CMP 2. 製程整合簡介: - CMOS process flow簡介 3. 製程規格與design rule Thermal oxidation (熱氧化) : [1] 原理– 在高溫氧化爐(oxidation furnace)中利用高純度的O 或水蒸氣將Si 反應 2 成SiO2 [2] 方式– 乾式(dry)氧化 Si + O2 SiO2 -- 濕式(wet)氧化 Si + 2H O SiO + 2H 2 2 2 [3] 機台– 水平式 5“ wafer 以下使用 -- 垂直式 6“ wafer 以上使用(節省機台所佔面積) [4] 特性– a. 成長特性 Volume increase Si surface position change Si consumption CVD deposition 0.56x x 0.44x Si 原來的Si表面 原來的Si表面 Si 氧化速率(Rox) 熱氧化模型(Deal-Grove Model) • oxidant species : Rox • 反應氣體須到達gas-oxide界面 Cgas oxide Si • temperature : Rox • 反應氣體須穿過(擴散)已存在的 C oxide layer s • substrate doping : B enhanced • 反應氣體在Si表面起反應 C