基于改进CAF-WAS的绑定前硅通孔测试.pdf

CN 43—1258／TP 计算机工程与科学 第 39卷第 3期 2O17年 3月 ISSN 1007—130X ComputerEngineering＆|Science Vo1．39．No 3．M ar．2O17 文章编号 ：1007—130X(2017)03—0430—06 基于改进 CAF—WAS的绑定前硅通孑L测试 卞景 昌 ，梁华国 。，聂 牧。，倪天明 ，徐秀敏 ，黄正峰 (1．合肥工业大学 电子科学与应用物理学院，安徽 合肥 230009；2．合肥工业大学计算机与信息学院，安徽 合肥 230009) 摘 要 ：硅通孔 TsV发生开路故障和泄漏故障会降低三维集成 电路 的可靠性和 良率，因此对绑定前 的TSV测试尤为重要 。现有 CAF—WAS测试方法对泄漏故障的测试优 于其他方法(环形振 荡器等)，缺 点是该方法不能测试开路故障。伪泄漏路径思想的提 出，解决 了现有 CAF—WAS方法不能对开路故障进 行测试的问题 。另外 ，重新设计 了等待 时间产生 电路 ，降低 了测试时间开销。HSPICE仿真结果显示 ，该 方法能准确预测开路和泄漏故障的范围，测试时间开销仅为现有同类方法的25 。 关键词：三维集成 电路 ；硅通孔 (TSV)；自测试 ；伪泄漏路径 ；开路故障 中图分类号：TP306 ．3 文献标志码 ：A doi：10．3969／．issn．1007—13OX．2017．03．004 CAF—W ASbasedpre—bondingTSV testing BIAN Jing—chang ，LIANG Hua—guo，NIEMu。，NITian—ming ，XU Xiu—min ，HUANG Zheng—feng (1_SchoolofElectronicScience AppliedPhysics，HefeiUniversityofTechnology，Hefei230009； 2．SchoolofComputer Information，HefeiUniversityofTechnology，Hefei230009，China) Abstract：Thoughsiliconvia(TSV)open／leakagedefectreducesthereliabilityandyieldofthree—di— mensionalintegratedcircuits，SOpre—bondingTSV testsareespecially important．Theexisting charge andfloat，waitandsample (CAF—W AS)testmethodforleakagedefecttestiSsuperiortoothermethods such asring oscillator，etc．，however，itcannottestopen defect． W eproposeapseudo leak path thoughttosolvethisproblem．Inaddition，weredesignawaitingtimegenerationcircuitoftoreducethe testtimeoverhead．HSPICE simulation resultsshow thattheproposedmethodcan accuratelyforecast theopendefectandthescopeoftheleakagedefectwithonly25 testtimeoftheexistingmethod[14]． Keywords：three—dimensionalintegratedcircuits；TSV；self-test；falseleakagepath；opendefect 优点_l4]。同时 ，基于 TSV 的 3DIC技术也面临着 l 引言 制造工艺、3DIC测试 、热管理 、互连设计和 cAD