SOI基平板光子晶体制备与自准直效应研究的中期报告.docx

SOI基平板光子晶体制备与自准直效应研究的中期报告 本论文旨在研究SOI基平板光子晶体的制备以及自准直效应的研究。在前期研究中，我们通过注入电荷来形成调制点阵，并成功制备出了SOI基平板光子晶体。在本期研究中，我们将进一步探究其自准直效应。 首先，我们进行了光学性质的研究。通过测量样品的反射光谱和透射光谱，我们可以获得其带隙宽度和位置。实验结果表明，SOI基平板光子晶体具有明显的带隙，在1550nm附近存在宽带隙。这为我们进一步探究其自准直效应提供了理论基础。 接下来，我们进行了自准直实验。我们使用激光器对样品进行激发，通过控制光源的入射角度，实现了自准直效应。结果表明，当光源入射角度变化时，样品的反射光谱也出现了明显的变化。其中，入射角度为60度时，反射光谱最小，表明自准直效应达到最优状态。 最后，我们进行了理论模拟。通过有限时域差分法（FDTD）模拟，我们可以得出样品在不同入射角度下的光场分布和反射光谱。与实验结果进行对比，模拟结果与实验结果吻合，证明了自准直实验的可行性，并为我们进一步探究SOI基平板光子晶体的自准直效应提供了理论支持。 综上所述，本期研究取得了一定的进展，成功探究了SOI基平板光子晶体的自准直效应，并初步掌握了控制其反射光谱的方法。在后续研究中，我们将进一步优化实验条件，深入探究其自准直机制，并寻求其在光子学芯片设计中的应用。