电力电子及电力补偿电容器.pdf

伟华电子 MKP81A IGBT吸收电容器（插片式） WEIHUATRONIC 外型图Outine Drawing 姻特点 姻 Features ●广泛应用于高压高频脉冲电路中 ●Widelyusedinhighvoltage,highfrenquencycircuit ●损耗小，内部温升小 ●Lowlossandsmallinherenttemperaturerise ●优异的阻燃性能 ●Exellentactiveandpassiveflameresistantcircuit ●适合作为IGBT的吸收电容 ●Epeciallydesignedassnubbercapacitorfor1GBT 姻技术要求Specifications 引用标准ReferenceStandard IEC61071 气候类别ClimaticCategory 40/85/21 额定温度 RatedTemperature 85℃ 工作温度范围OperatingTemperatureRange -40℃~85℃ 额定电压 RatedVoltage 630V~2500V 电容量范围CapacitanceRange 0.047μF~9μF 电容量偏差CapacitanceTolerance ±5%(J),±10%(K) 耐电压VoltageProof 1.6UR(10s) 损耗角正切DissipationFactor ≤0.0005,(1kHz,20℃) ≥100000MΩ,CR≤0.33μF 绝缘电阻InsulationResistance (20℃,100V,1min) ≥30000s, CR＞0.33μF 注Note: 1.本公司生产的MKP81型高压电容器主要的引出方式为“引线式和焊片式,如需其它的容量规格和外型尺寸,请另外协商。 Theterminalleadsstyleoftype-MKP81mainlyarewiresandweidingtabs.Othercapacitanceanddimensioncanbe providedonrequestofcustomers. 2.本公司所用焊片的尺寸参见外形图 Dimensionoftabpieaserefertooutingdrawing. MKP81A IGBT吸收电容器（插片式） 伟华电子 WEIHUATRONIC 姻外形尺寸 Dimensions(mm) 630Vdc/700Vdc（420Vac）