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6.1-1pn结的形成及空间电荷区.pdf

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第六讲pn结

6.1pn结及其能带图——pn结的形成及空间电荷区

1.什么是pn结？

结

p型n型

•电流电压特性

•电容效应

•击穿特性

2.pn结的形成

在一块完整的半导体单晶上（通常是硅或锗单晶），

采用不同的掺杂工艺，比如合金法、扩散法、生长法、

离子注入法等，通过扩散作用，使其一边形成n型半导体，

另一边形成p型半导体，在它们的交界面就形成pn结。

（1）合金法

合金结

Al液体Al

降低温度

加热

nSinnp

欧姆接触

（2）扩散法

扩散结

p型杂质

SiO2

p

nSinn

n

氧化光刻和刻蚀扩散欧姆接触

3.pn结的杂质分布

合金结扩散结

xx,N(x)N；xx,N(x)Nxx,NN；xx,NN

jAjDjADjDA

N(x)

N(x)

NA突变结缓变结

单边突变结NA(x)

+NN

NDpn结：ADND

x+NN

Oxjnp结：DAOxj

➢合金法和离子注入形成

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