MOS产品命名规则.xls

Sheet1 (2) Sheet1 MOS命名规则 为BYD MOS产品代码 BF9 BF9 AB CD E F G AB 01 10 代码 耐压最小值 02 20 09 90 … 11 10V 20V 90V 100V 110V 20 200V 30 300V 900V CD 表示器件所能承受的最大电流 01 1mohm 2mohm 9mohm 10mohm 20mohm 10 20 99 99mohm 100mohm A0 A1 110mohm A2 120mohm B1 B0 200mohm 210mohm C0 300mohm D0 400mohm E0 500mohm F0 600mohm G0 700mohm H0 800mohm J0 900mohm 1K 1ohm 2K 2ohm 9K 9ohm 100mA 200mA 900mA 1A 2A 9A 10A 20A 99A S single die D dual die F E N N type P P type C complementary G 代表封装 代表器件类型 代表器件数量 代表内阻 表示器件在完全开启下（4.5V或10V）的内阻最大值 代表电流 BV =50V BV 50V C T dual mos+schottky single mos+schottky TO252 O TSSOP8 T TO251 GEM2928 J SIP COB C SO-8 S DFN D TO220 TO263 TO247 PDIP8 TO-3P TSOP6 Y SOT23 Z TO92 SC75 LFPAK Z SC70-3/-6 R L M 100A 表示器件耐压及ESD保护情况 E1 E2 E9 1M 2M 9M 110A 0B 1B 9B 190A 0C 200A 1C 210A MOS命名规则 BF9 为BYD MOS产品代码 AB 表示器件耐压及ESD保护情况 代码 耐压最小值 01 10V E1 02 20V … 09 90V E9 10 100V 11 110V 20 200V 30 300V 90 900V CD 表示器件在完全开启下（4.5V或10V）的内阻最大值 表示器件所能承受的最大电流 代表内阻 代表电流 1mohm 1M 100mA 2mohm 2M 200mA 9mohm 9M 900mA 10mohm 1A 20mohm 2A 99 99mohm 9A A0 100mohm 10A A1 110mohm 20A A2 120mohm 99A B0 200mohm 0B 100A B1 210mohm 1B 110A C0 300mohm 9B 190A D0 400mohm 0C 200A E0 500mohm 1C 210A F0 600mohm G0 700mohm H0 800mohm J0 900mohm 1K 1ohm 2K 2ohm 9K 9ohm E 代表器件数量 S single die C single mos+schottky D dual die T dual mos+schottky F 代表器件类型 N N type P P type complementary 代表封装 K GEM2928 TSSOP-8 SOP-8 SOT-23 SOT-23-6L TO-92 DFN2*5-6L TO-251 TO-252 TO-220 TO-263 J Z Y M TSLP3*1.8-8L L R G（-H） BF9 AB CD E F G（-H） G表示封装形式代码，-H为封装附加码，用于同种封装不同管脚的区分，最初封装确认的脚位默认为没有附件码 SOT-23-3L（SC-59） SC-70-3L（SOT-323） SOT-223 B SC-75 F 此五种封装默认三只管脚为标准 备注：1.用黄色填充的封装代码为了避免代码重复使用，进行了更改与现在一些型号的命名冲突 2.后续增加新封装形式时补加封装代码 COB D-CE/GE D-W 各封装形式代码见下表，H附加码区分相同封装的不同管脚或同类封装的不同尺寸 D-A DFN2*2-6L DFN3*3-8L D-B CSP Z-S A BV =30V BV 30V .00