CMOSVLSIESD保护电路设计技术_薛忠杰.pdf

CMOS电路芯片ESD保护电路设计技术发展.doc CMOS电路芯片ESD保护电路设计技术的发展　　摘要：随着近几年CMOS集成电路的快速发展，COMS电路芯片的尺寸越来越小，单位面积芯片上集成的晶体管也逐渐增加，这有效提高了集成电路的运算速度，同时大大降低了单个芯片的制造成本。然而在集成电路快速发展的同时，ESD问题也日益凸现出来，ESD保护电路能够有效保护COMS电路芯片，对内部电路的保护具有重要意义。笔者就以ESD保护原理为集成，对CMOS电路芯片ESD保护电路设计技术的发展进行了分析关键词：COMS电路芯片；ESD保护电路；集成电路静电放电（ESD）对集成电路芯片的干扰程度最大，一般的，ESD通过干燥环境的人体带电，以电

2017-05-27 约3.39千字 6页立即下载

过流保护电路设计.doc . . . 8.2过流保护电路的设计过流保护电路如上图所示。此电路是过流保护电路，其中100kΩ电阻用来限流，通过比较器LM311对电流互感器采样转化的电压进行比较，LM311的3脚接一10kΩ电位器来调比较基准电压，输出后接一100Ω的电阻限流它与后面的220μF的电容形成保护时间控制。当电流过流时比较器输出是高电平产生保护，使SPWM不输出，控制场效应管关闭，等故障消除，比较器输出低电平，逆变器又自动恢复工作。带自锁的过流保护电路 1.第一个部分是电阻取样...负载和R1串联...大家都知道.串联的电流相等...R2上的电压随着负载的

2019-07-27 约4.77千字 12页立即下载

IGBT保护电路设计.docx PAGE 1- IGBT保护电路设计一、IGBT保护电路设计概述 (1)IGBT保护电路设计在电力电子系统中扮演着至关重要的角色，它能够确保IGBT模块在正常工作条件下安全可靠地运行，同时防止由于过流、过压、短路等异常情况导致的损坏。在设计IGBT保护电路时，需要充分考虑系统的整体性能和可靠性，以及IGBT模块的电气特性和工作条件。通常，保护电路包括电流检测、电压检测、温度检测等部分，以及与之相配合的保护元件和电路。 (2)IGBT保护电路的设计应遵循一定的原则，如快速响应、高可靠性、低误动作率等。快速响应能够确保在异常情况发生时，保护电路能够迅速切断故障电路，防止损坏扩展；高可靠性则是保护

2025-03-24 约1.64千字 3页立即下载

PWM电路设计技术.pdf PWM電路設計技術第 1 頁，共 14 頁【設

2016-02-04 约2.01万字 14页立即下载

MOSFET的驱动保护电路设计.docx PAGE 1- MOSFET的驱动保护电路设计 一、1.MOSFET驱动保护电路概述 (1)MOSFET驱动保护电路在电力电子系统中扮演着至关重要的角色，其主要功能是为MOSFET提供稳定且快速的开关信号，同时确保MOSFET在运行过程中不受过电压、过电流等故障的损害。这种电路的设计不仅关系到MOSFET的寿命，还直接影响到整个系统的可靠性和效率。随着电力电子技术的不断发展，MOSFET驱动保护电路的设计要求越来越高，需要具备快速响应、高精度控制、低功耗等特点。 (2)在MOSFET驱动保护电路的设计中，通常包括驱动电路和保护电路两个主要部分。驱动电路负责为MOSFET提供所需的开关信号，包括

2025-03-20 约2.38千字 5页立即下载

IGBT驱动电路设计与保护.docx PAGE 1- IGBT驱动电路设计与保护一、IGBT驱动电路概述 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）驱动电路是电力电子系统中至关重要的组成部分，负责为IGBT提供所需的开关信号和足够的驱动电流。随着电力电子技术的快速发展，IGBT驱动电路在提高系统效率、降低能耗和实现高频化、智能化方面发挥着重要作用。在高压、大电流的应用场景中，IGBT驱动电路的设计要求更加严格，以确保系统稳定运行和延长器件寿命。在IGBT驱动电路的设计中，常用的驱动方式包括脉冲宽度调制（PWM）和直接驱动。PWM驱动方式通过调节脉冲的宽度来控制IGBT的导通和关断，适用于中低频应用。而直接驱动方式则通过提供快速的开关信号，

2025-03-22 约3.04千字 6页立即下载

IGBT保护电路设计1解析.doc 关于IGBT保护电路设计必知问题绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT）是MOSFET与GTR的复合器件，因此，它既具有MOSFET的工作速度快、开关频率高、输入阻抗高、驱动电路简单、热温度性好的优点，又包含了GTR的载流量大、阻断电压高等多项优点．是取代GTR的理想开关器件。IGBT目前被广泛使用的具有自关断能力的器件，广泛应用于各类固态电源中。IGBT的工作状态直接影响整机的性能，所以合理的驱动电路对整机显得很重要，但是如果控制不当，它很容易损坏，其中一种就是发生过流而使IGBT损坏，本文主要研究了IGBT的驱动和短路保护问题，就其工

2017-01-06 约字 9页立即下载

2024-11-17 约小于1千字 22页立即下载

0.6μm+CMOS过温保护电路设计.pdf 第28卷第2期固体电子学研究与进展 V01．28，No．2 2008年6月 OFSSE Jun．，2008 RESEARCHPROGRESS 0．6IJmCMOS过温保护电路设计。董小英孙颖” 朱大中 (浙江大学信息与电子工程学系微电子与光电子

2017-07-19 约1.37万字 5页立即下载

IGBT过流保护电路设计.docx PAGE 1- IGBT过流保护电路设计 一、IGBT过流保护电路设计概述 (1)IGBT（绝缘栅双极型晶体管）作为一种高压、大电流的电力电子器件，广泛应用于工业控制、电力变换等领域。在电力变换过程中，IGBT承受着巨大的电流和电压，因此过流保护电路的设计对于确保设备安全运行至关重要。IGBT过流保护电路通过实时监测电流大小，一旦电流超过设定阈值，能够迅速切断IGBT的电源，防止其因过流而损坏。根据不同的应用场景，过流保护电路的设计参数也有所不同，例如，在高速铁路牵引系统中，IGBT的过流保护阈值通常设定在额定电流的1.5倍左右，以确保在紧急制动情况下系统的安全。 (2)过流保护电路的设计需要

2025-03-22 约3.12千字 6页立即下载

保护电路设计方法-go.pdf Quality is our message 第 5 章 保护电路设计方法目录 1. 短路（过电流）保护5-2 2. 过电压保护5-6 本章中对IGBT 的保护电路设计方法进行说明。

2017-05-31 约3.93万字 15页立即下载

MOS芯片的ESD保护电路设计.doc 　随着CMOS集成电路产业的高速发展，越来越多的CMOS芯片应用在各种电子产品中，但在电子产品系统的设计过程中，随着CMOS工艺尺寸越求越小，单位面积上集成的晶体管越来越多，极大地降低了芯片的成本，提高了芯片的运算速度。　　但是，随着工艺的进步和尺寸的减小，静电释放(ESD)，Elecyro Static Discharge)问题变得日益严峻。据统计，在集成电路设计中大约40%的失效电路是ESD问题造成的。　　MOS晶体管是绝缘栅器件，栅极通过薄氧化层和其他电极之间绝缘。如果栅氧化层有较大的电压，会造成氧化层击穿，使器件永久破坏。　　随着器件尺寸减少，栅氧化层不断减薄，氧化层能承受的电压

2017-05-22 约2.79千字 2页立即下载

tia电路的输入过压保护电路设计.doc tia电路的输入过压保护电路设计 一、TIA电路简介 a.TIA电路基本概念 TIA电路，即传输接口电路，是一种用于将模拟信号转换为数字信号的电路。其主要功能是将来自传输线的模拟信号进行放大、滤波、整形等处理，使其满足数字信号传输的要求。 b.TIA电路在通信系统中的应用 TIA电路在通信系统中扮演着重要角色，广泛应用于电话、数据通信、有线电视等领域。其主要作用是提高信号质量，降低误码率，保证通信系统的稳定运行。 c.TIA电路设计要点 ①信号放大倍数的选择； ②滤波器的设计； ③电路的稳定性； ④电路的功耗。二、输入过压保护电路设计 a.输入过压保护电路的作用输入过压保护电路主要用于保护

2025-03-20 约1.2千字 3页立即下载

2025-05-08 约4.7万字 81页立即下载

保护电路设计方法_过电压保护.doc 保护电路设计方法 - 过电压保护 2.过电压保护 ⑴ 过电压的产生及抑制方法 ① 过电压产生的原因 ??? 对于IGBT开关速度较高，IGBT关断时及FWD逆向恢复时，产生很高的di/dt，由于模块周围的接线的电感，就产生了L di/dt电压（关断浪涌电压）。 ??? 这里，以IGBT关断时的电压波形为例，介绍产生原因和抑制方法，以具体电路（均适用IGBT/FWD）为例加以说明。 ??? 为了能观测关断浪涌电压的简单电路的图6中，以斩波电路为例，在图7中示出了IGBT关断时的动作波形。 ??? 关断浪涌电压，因IGBT关断时，主电路电流急剧变化，在主电路分布电感上，就会产生较高的电压。关断浪

2017-04-25 约3.06千字 7页立即下载