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坚持就是胜利 12级测控专用 测控122班制作 PAGE PAGE 2 第 PAGE 2 页 共 NUMPAGES 5 页 模拟电路基础 复习资料 一、填空题 1．在P型半导体中，多数载流子是（ 空隙 ），而少数载流子是（ 自由电子 ）。 2．在N型半导体中，多数载流子是（ 电子 ），而少数载流子是（ 空隙 ）。 3．当PN结反向偏置时，电源的正极应接（ N ）区，电源的负极应接（ P ）区。 4．当PN结正向偏置时，电源的正极应接（ P ）区，电源的负极应接（ N ）区。 4.1、完全纯净的具有晶体结构完整的半导体称为 本征半导体 ，当掺入五价微量元素便形成 N型半导体 ，其电子为 多数载流子，空穴为 少数载流子 。当掺入三价微量元素便形成 P型半导体 ，其 空穴为多子 ，而 电子为少子 。 4.2、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。 4.3、二极管有一个PN结，它具有单向导电性，它的主要特性有：掺杂性、热敏性、光敏性。可作开关、整流、限幅等用途。硅二极管的死区电压约为0.5V，导通压降约为0.7V，锗二极管的死区电压约为0.1V、导通压降约为0.2V。 5、三极管具有三个区：放大区、截止区、饱和区，所以三极管工作有三种状态：工作状态、饱和状态、截止状态，作放大用时，应工作在放大状态，作开关用时，应工作在截止、饱和状态。 5.1、三极管具有二个结：即发射结和集电结。饱和时：两个结都应正偏；截止时：两个结都应反偏。 放大时：发射结应（ 正向 ）偏置，集电结应（ 反向 ）偏置。 5.2、三极管放大电路主要有三种组态，分别是： 共基极电路、共集电极电路、共发射极电路。共射放大电路无电压放大作用，但可放大电流。共基极放大电路具有电压放大作用，没有倒相作用。且共基接法的输入电阻比共射接法低. 5.3、共射电极放大电路又称射极输出器或电压跟随器,其主要特点是电压放大倍数小于近似于1、输入电阻很大、输出电阻很小。 5.4单管共射放大电路中，1.交直流并存，2.有电压放大作用，3.有倒相作用。 5.5微变等效电路法适用条件：微小交流工作信号、 三极管工作在线性区。 5.6图解法优点: 1. 即能分析静态, 也能分析动态工作情况；2. 直观 形象；3. 适合分析工作在大信号状态下的放大电路。缺点: 1. 特性曲线存在误差；2. 作图麻烦,易带来误差； 3. 无法分析复杂电路和高频小工作信号。 5.7微变等效电路法 优点:1.简单方便；2.适用于分析任何基本工作在线性范围的简单或复杂的电路。 缺点:1.只能解决交流分量的计算问题； 2. 不能分析非线性失真；3. 不能分析最大输出幅度 。 6．根据理论分析，PN结的伏安特性为,其中被称为（ 反向饱和 ） 电流，在室温下约等于（ 26mV ）。 7．BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（ 漏极 ）、（ 栅极 ）和（ 源极 ）与之对应。 7.1.场效应管是电压控制元件，三极管是电流控制元件。 场效应管输入电阻非常高，三极管输入电阻较小。场效应管噪声小，受外界温度及辐射的影响小, 存在零温度系数工作点。场效应管的制造工艺简单, 便于集成。存放时,栅极与源极应短接在一起。 焊接时,烙铁外壳应接地。 7.2共漏极放大电路又称源极输出器或源极跟随器。 7.3多级放大电路的耦合方式：阻容耦合，优点:各级 Q 点相互独立,便于分析、设计和调试。缺点: 不易放大低频信号无法集成。直接耦合，优点:可放大交流和直流信号;便于集成。缺点: 各级Q点相互影响;零点漂移较严重。变压器耦合，优点：有阻抗变换作用，各级静态工作点互不影响。缺点：不能放大直流及缓慢变化信号； 笨重；不易集成。 7.4由于放大电路对不同谐波成分的放大倍数的幅值不同，导致uo的波形产生的失真，称为幅频失真。 由于不同谐波通过放大电路后产生的相位移不同，造成uo波形产生的失真，称为相频失真。频率失真是由于放大电路对不同频率的信号响应不同而产生的；而非线性失真是由放大器件的非线性特性产生的。 7.5根据fβ的定义，所谓共射截止频率，并非说明此时三极管已经完全失去放大作用，而只是共射电流放大系数的幅频特性下降了3dB。特征频率: |β| 值下降到 1 时的频率,用符号 fT 表示。特征频率是三极管的一个重要参数，当f fT 时，三极管已失去放大作用，所以，不允许三极管工作在如此高的频率范围。 7.6通常将 值下降为低频时α0的 0.707倍时的频率定义为共基截止频率，用符号 fα 表示。三极管的频率参数也是选用三极管的重要依据之一。通常，在要求通频带比较宽的放大电路中，应该选用高频管，即频率参数值较高的三极管。