Cadence入门反相器原理与仿真.pdf

课时1

1启动虚拟机，熟悉Linux系统的基本操作

1.1文件系统

与windows的操作无异

1.2终端

1.2.1进入root用户，和退出root用户

1.2.3常用操作

cd打开文件夹ls显示当前文件夹里的文件

cp复制mv移动mkdir新建文件夹rm删除

Cpfile路径

命令选项参数

2启动cadence

先启动license，再启动cadence

在设置环境变量时，我们设置了命令名lmli来启动license

在终端输入lmli

然后在终端输入icfb

2.1新建一个library

File→new→library

2.2新建一个原理图

File→new→cellview

3熟悉cadence

3.1基本操作和快捷键

添加器件iinstanceq编辑器件参数

W连线p添加端口L添加标签

C拷贝器件M移动u撤销

3.2熟悉一些器件的名称

gnd在电路中表示0电位，和它相连的线线名为gnd，没有设置参数。

vdd和它相连的线线名为vdd。这个器件只用来标示等电位，而不是

电源。

vdc/idc直流电压/电流源，用于为电路提供直流电压/电流。同时还可

以提供交流电流，在AC分析中使用。

vpulse时变电流源，在DC分析中可以输出固定的DC电压，AC分

析中可以输出固定的AC电压，在瞬态分析中可以生成不同占空比

的方波、三角波、梯形波、锯齿波。znmos4/pmos4/pnp通用4端

口NMOS管/PMOS管/PNP三极管

注意，在模型名称(ModelName)一栏需要根据不同的工艺库(Model

Library)中的定义来指定。比如：在某个模型中将NMOS模型定名

为nvn，PMOS管模型定名为nvp，PNP三极管则为pnp5，则在

nmos4器件实例的ModelName栏应当填上nvn、pmos4填nvp、pnp

填pnp5，否则电路将不能正确进行仿真。

res/cap/ind这三个器件分别是电阻、电容、电感。如果进行简单仿

真，这些器件参数设置中不需要指定模型名称，这是这些器件将表现

为理想器件。如果需要根据工艺详细仿真，则可以在器件参数设置中，

根据工艺模型库中的电阻、电容、电感的模型定义这些器件

4反相器实例。（画出CMOS反相器电路图并用spectre仿真反

相器的电压传输特性）

4.1原理

CMOS反相器由一个P沟道增强型MOS管和一个N沟道增强型

MOS管串联组成。通常P沟道管作为负载管，N沟道管作为输入管。

这种配置可以大幅降低功耗，因为在两种逻辑状态中，两个晶体管中

的一个总是截止的。处理速率也能得到很好的提高，因为与NMOS

型和PMOS型反相器相比，CMOS反相器的电阻相对较低。

两个MOS管的开启电压V0，V0，通常为了保证正常

GS(th)PGS(th)N

工作，要求V|V|+V。若输入v为低电平(如0V)，则负

DDGS(th)PGS(th)NI

载管导通，输入管截止，输出电压接近V。若输入v为高电平(如

DDI

V)，则输入管导