大功率应用条件下绝缘栅双极型晶体管驱动和保护-中国电机工程学会.PDF

大功率应用条件下绝缘栅双极型晶体管驱动和 保护电路的设计 罗 湘,刘亚萍,荆 平,邱宇峰 中国电力科学研究院，北京市 海淀区 100085 Design of Driver and Protection Circuit for Insulated Gate Bipolar Transistor for High Power Application LUO Xiang ，LIU Ya-ping ，JING Ping ，QIU Yu-feng (China Electric Power Research Institute，Haidian District ，Beijing 100085 ，China) ABSTRACT: According to the requirement for driver and 合考虑了大功率应用条件下 IGBT 对驱动和保护电 protection circuit of IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 路的要求，并结合工程运行经验，为应用于上述 for high power application, a driver and protection circuit is VSC 中的型号为 FZ1200R12KF4 ，额定参数为 designed using M57962AL for IGBT module in Voltage Source 1200A/1200V 的 IGBT 模块设计了一套完整的驱动 Converters,its power level is up to 130kVA. 和保护电路。试验结果验证了该驱动和保护电路的 KEY WORDS: IGBT ；dirver and protection circiut ； 正确性的有效性。 M57962AL 1 驱动电路的设计 摘要：综合考虑了大功率应用条件下绝缘栅双极型晶体管驱 动和保护电路的设计要求，以 M57962AL 专用驱动模块为 1.1 驱动模块的选择 核心，为应用于功率等级为 130kVA 的电压源型换流器中的 国内对 M57962AL 厚膜驱动模块的应用研究 IGBT 模块设计了一套驱动和保护电路，并在试验中验证了 比较深入，运行经验比较丰富。因此驱动模块选用 该驱动和保护电路的正确性的有效性。 了M57962AL 。 关键词：绝缘栅双极型晶体管；驱动和保护电路；M57962AL M57962AL 是为 IGBT 专用驱动用的 M579 系 0 引言 列模块中的一员。其采用了高速设计，能把输入的 逻辑控制信号转换为 IGBT 驱动信号，输入信号经 随着电力系统的不断发展，提高电网的输送能 过光耦隔离（抗共模干扰能力 15000V/ μs ），允许 力和安全稳定运行水平、改善用户电能质量等问题 高低侧控制信号共用参考地。同时芯片内部还集成 日益突出。在电力系统中加装基于可关断器件的大 了短路保护。 功率电力电子装置是通过技术手段解决这些问题的 有效途径之一。绝缘栅双极型晶体管(insulated gate 1.2 驱动电压的选择 bi