原位合成MoSi230SiC复合材料的高温蠕变行为.pdf

第38卷 第7期 No7 金孱学破Vjl．38 ACTAMETALLURGICASINICA 2002 2002年7月731-736页 July PP．731—736 傅晓伟 杨王朝 张来启 (北京科技大学材料科学与工程学院，北京100083) 孙祖庆 (北京科技人学新金属材料国家重点实验室，北京100083) 朱静 (清华大学材料科学与工程系，北京100084) 摘 要 MPa应力条件下．原位合成复合材料的稳态蠕变速率都可维持在 在1200一1400℃的压缩蠕变行为结枭表明，在60一120 界面为纯粹的原子结合，无Si02非晶相存在蠕变机制为位错蠕变，MoSi2基体中的位错类型为(110)与(100) 关键词MoSi2／sic复台材料，原位合成，蠕变，位错 中图法分类号TB33，TB302．3文献标识码 A 文章编号 06 0412—1961(2002)07～0731 oF，ⅣS，TU HIGHTEMPERATURECREEPBEHAVIoR SYNTHESIZEDCoMPoSITE MoSi2—30％SiC FU Xiaowei?YANG、Vangyue。zHANGLai面 SchoolofMaterials of 100083 Science＆Engineering，UniversityScience＆TechnologyBeijing，Beijing sUN Zuqing TheState forAdvancedMetalsand of KeyLaboratory Materials．UniversityScience＆TechnologyBeijing，Beijing 100083 zHU Jing ofMaterials 100084 Department Science＆Engineering，TsinghuaUniversityIBeijing Correspondent：SUN E—mail：zqsun@ustb．edu．Cn NationalNaturalScienceFoundation oi 02) Supportedby China(No04 received2001-0628．inrevisedforill2002—02—35 Manuscript ABSTRACTThe behaviorsofaninsitu MoSi2—30％SiCcomposite compressivecreep synthesized