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ME8110B 应用指导 2014微盟原厂规格书.pdf

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应用指导书 5 0 3 3 1 5 3 2 8 3 1 : L L 样品名:ME8110B A C版本号:V1.0 编 制:Yan 日 期:2014-6-5 地址:上海市闵行区宜山路1618号E座6楼B3 021808 Page 1 of 11 一、 芯片基本介绍 ME8110B主要针对适配器、充电器、开板电源、家电类、辅助电源而设计的一款高性能控 制芯片。ME8110B 内部集成了一个脉宽调制控制器和一个600V(650V) 的高压功率2A MOSFET。ME8110B 的启动电流很低,电流模式脉宽调制使得在轻载时工作在节能模式。这 些特性保证了电源能轻松达到最严苛的能源法规要求。 ME8110B 的集成功能包括电流检 测的前沿消隐,内部斜率补偿,逐周期峰值电流限制和软启动。 另外,在误动作时,过流 保护(OCP),过压保护(OVP) 和过载保护 (OLP)能为芯片提供充分的保护。总之,ME8110B 拥有更好的特性和更低的电源成本. 5 主要特点如下: 0 3 ● 低待机功耗:通过低功耗间歇工作模式设计,达到小于0.1W待机功耗。 3 1 ● 无噪声工作:优化的芯片设计可以使系统任何工作状态下均可安静地工作,系统最小工作 5 频率控制在22K以上。 3 2 ● 更低启动电流:VDD启动电流低至 5uA,可有效地减少系统启动电路的损耗,缩短系统的 8 3 启动时间。 1 : ● 更低工作电流:工作电流约为 3mA, 可有效降低系统的损耗,提高系统的效率。 L L ● 内置前沿消隐:内置220nS前沿消隐(LEB),降低系统成本。 A ● 内置良好的 OCP 补偿:内置了 OC
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