组成和体系结构实验一.ppt
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在 FPGA中利用嵌入式阵列块 EAB可以构成存储器,lpm_ram_dq的结构
;实验原理
WE读/写控制端,低电平时进行读出操作;高电平时进行“写出”操作,(注意:这里的写操作有点特殊,WE为高点平,当时钟上升沿到来时,会将D[7..0]的数据写入A[7..0]所指示的单元内,同时在紧接着的时钟下降沿,会将刚写入的数据输出到Q[7..0],因而称之为“写出”操作。
CKL读/写时钟脉冲;(读/写都是上升沿有效)
D[7..0]——RAM的8位数据输入端;
A[7..0]——RAM的读出和写入地址;
Q[7..0]——RAM的8位数据输出端。
实验步骤
参照前面的步骤,器件选择为lpm_ram_dq,其它步骤与前面类似。;四 关键过程图(这里不用选ROM文件,直接仿真既可)
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