2.1半导体二.三极管及MOS管的开关特性.ppt

半导体二、三极管和MOS管的开关特性-公开课件（讲义）.ppt 2. 1. 1 理想开关的开关特性 一、静态特性 1. 断开 2. 闭合 2. 1 半导体二极管、三极管 和 MOS 管的开关特性 S A K 二、动态特性 1. 开通时间： 2. 关断时间：闭合）（断开断开）（闭合普通开关：静态特性好，动态特性差 半导体开关：静态特性较差，动态特性好几百万/秒几千万/秒 S A K 2. 1. 2 半导体二极管的开关特性 一、静态特性 1. 外加正向电压(正偏) 二极管导通(相当于开关闭合) 2. 外加反向电压(反偏) 二极管截止(相当于开关断开) 硅二极管伏安特性阴极 A 阳极 K PN结 - A K + P区 N

2019-10-08 约2.1千字 14页立即下载

数字电路半导体二三极管和MOS管的开关特性分析.ppt 2. 1. 1 理想开关的开关特性 一、静态特性 1. 断开 2. 闭合 2. 1 半导体二极管、三极管 和 MOS 管的开关特性 S A K 二、动态特性 1. 开通时间： 2. 关断时间：闭合）（断开断开）（闭合普通开关：静态特性好，动态特性差 半导体开关：静态特性较差，动态特性好几百万/秒几千万/秒 S A K 2. 1. 2 半导体二极管的开关特性 一、静态特性 1. 外加正向电压(正偏) 二极管导通(相当于开关闭合) 2. 外加反向电压(反偏) 二极管截止(相当于开关断开) 硅二极管伏安特性阴极 A 阳极 K PN结 - A K + P区 N

2016-11-23 约2.1千字 14页立即下载

半导体二极管和三极管的开关特性.ppt 　　获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件的导通、截止（即开、关）两种工作状态。　　逻辑0、1：电路中用高、低电平来表示。 2.1 半导体二极管和三极管的开关特性 1、二极管的开关特性 　　逻辑门电路：用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。简称门电路。　　常用门电路有与门、或门、非门（反相器）、与非门、或非门、与或非门和异或门等。二极管符号：正极负极＋　uD 　－ ui＝0V时，二极管截止，如同开关断开，uo＝0V。 ui＝5V时，二极管导通，如同0.7V的电压源，uo＝4.3V。 ui0.5V时，二极管截止，iD=0。 ui0.5V时，二极管导通。 2、三极管的开关特性

2017-07-01 约3.68千字 10页立即下载

半导体二极管与三极管的开关特性.ppt xhp * 第二节 半导体二极管和三极管的开关特性 一、二极管的开关特性 1.开关电路举例 2.静态特性伏安特性等效电路在数字电路中重点在判断二极管开关状态，因此必须把特性曲线简化。（见右侧电路图）有三种简化方法：输入信号慢变化时的特性。第一种第三种 + - 0.5V 第二种 VON 0.7V 3.动态特性当外加电压突然由正向变为反向时，二极管会短时间导通。 tre 这段时间用tre表示，称为反向恢复时间。输入信号快变化时的特性。 D RL i 它是由于二极管正向导通时PN结两侧的多数载流子扩散到对方形成电荷存

2016-11-07 约小于1千字 10页立即下载

半导体二极管和三极管的开关特性.pptx xhp第二节半导体二极管和三极管的开关特性一、二极管的开关特性1.开关电路举例2.静态特性伏安特性等效电路在数字电路中重点在判断二极管开关状态，因此必须把特性曲线简化。（见右侧电路图）有三种简化方法：输入信号慢变化时的特性。第一种第三种+0.5V第二种VON0.7V 3.动态特性当外加电压突然由正向变为反向时，二极管会短时间导通。tre这段时间用tre表示，称为反向恢复时间。输入信号快变化时的特性。DRLi它是由于二极管正向导通时PN结两侧的多数载流子扩散到对方形成电荷存储引起的。二、半导体三极管的开关特性xhp（一）双极型三极管的开关特性1.静态特性可用输入输出特性来描述。基本开关电路如

2025-05-12 约1.04千字 10页立即下载

半导体二极管和三极管的开关特性.ppt 　　获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件的导通、截止（即开、关）两种工作状态。　　逻辑0、1：电路中用高、低电平来表示。 2.1 半导体二极管和三极管的开关特性 1、二极管的开关特性 　　逻辑门电路：用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。简称门电路。　　常用门电路有与门、或门、非门（反相器）、与非门、或非门、与或非门和异或门等。二极管符号：正极负极＋　uD 　－ ui＝0V时，二极管截止，如同开关断开，uo＝0V。 ui＝5V时，二极管导通，如同0.7V的电压源，uo＝4.3V。 ui0.5V时，二极管截止，iD=0。 ui0.5V时，二极管导通。 2、三极管的开关特性

2017-06-25 约3.68千字 10页立即下载

半导体二极管和三极管的开关特性.pptx 获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件的导通、截止（即开、关）两种工作状态。逻辑0、1：电路中用高、低电平来表示。 2.1半导体二极管和三极管的开关特性 1、二极管的开关特性 逻辑门电路：用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。简称门电路。常用门电路有与门、或门、非门（反相器）、与非门、或非门、与或非门和异或门等。二极管符号：正极负极＋uD－ ui＝0V时，二极管截止，如同开关断开，uo＝0V。 ui＝5V时，二极管导通，如同0.7V的电压源，uo＝4.3V。 ui0.5V时，二极管截止，iD=0。 ui0.5V时，二极管导通。 2、三极管的开关特性 2025-5-30 3 ＋

2025-05-30 约4.61千字 10页立即下载

2.1 半导体三极管.PDF 2.1 半导体三极管 半导体三极管又称晶体三极管，简称三极管。因其内部参与导电的载流子有自由电子和空穴两种，所以又称为双极型三极管，英文缩写为BJT （Bipolar Junction Transistor ）。它是组成各种电子电路的核心元件。 2.1.1 半导体三极管的结构及工作原理一、三极管结构和符号在同一块杂质半导体上用特殊制造工艺产生两个异型区，交界面处形成两个PN 结。从三个杂质半导体 区引出三个电极，即可构成一个三极管。按照结构的不同分为两种类型：NPN 型管和

2017-06-14 约7.68千字 4页立即下载

半导体三极管4.pptx §1.3 半导体三极管C集电极CPNBNPB基极PNEE发射极1.3.1 基本结构、类型和符号一、结构集电极NPN型PNP型基极发射极C集电极NPBN基极E发射极三极管在制造时必须满足以下条件：1、发射区掺杂浓度最大，它的作用是发射载流子。2、基区必须做得很薄（微米级）掺杂浓度最小，它的作用是传输和控制载流子。3、集电区要做得体积最大，它的作用是收集载流子。集电区：面积较大基区：较薄，掺杂浓度低发射区：掺杂浓度较高C集电极NPBN基极E发射极集电结发射结二、类型有PNP型和NPN型；硅管和锗管；大功率管和小功率管；高频管和低频管。CCICICBBIBIBIEIEEE三、符号NPN型三极管PNP

2020-02-22 约2.98千字 30页立即下载

半导体三极管.ppt 1．光电三极管 光电三极管也称光敏三极管，可依据光照的强度来控制集电极电流的大小。 2．光电耦合器 * 2.1 三极管的结构、符号和分类 2.2 三极管的电流放大作用 2.3 三极管的特性曲线 2.4 三极管的主要参数及其温度影响 2.5 特殊三极管 二　半导体三极管 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 P P N E B C PNP 型分类：按材料分：硅管、锗管按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分：

2017-02-08 约2.45千字 13页立即下载

第3讲-第1章半导体三极管.ppt 三极管的不同封装形式小结 三极管（晶体管，BJT）是电流控制器件 三极管要实现放大作用，必须工作在放大区。例、测得放大电路中三只晶体管的直流电位如图示，分析他们的类型、管脚和所用的材料（硅或锗）。 * * １.４.１ BJT的结构与符号 (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管分类：按频率分有高频管、低频管按功率分有小、中、大功率管按材料分有硅管、锗管按结构分有NPN型和PNP型１.４ 半导体三极管BJT 一个PN结二极管单向导电性二个PN结 三极管 电流放大（控制）金属封装塑料封装大功率管中功率管 三极管

2017-06-06 约4.07千字 29页立即下载

半导体三极管.ppt 半导体三极管 刘丽新 * * 教材教材的地位与作用教材的分析与处理教学目标教学重、难点行为导向法小组学习法教法学法选自《电子技术基础》中的“半导体三极管”一节，学生已经学习了半导体二极管的知识，本节课要完成的任务是半导体三极管的学习. 教材教材的地位与作用教材的分析与处理教学目标教学重、难点行为导向法小组学习法教法学法以就业为导向，培养学生的自主探究能力、交流合作能力、实践操作能力，突出实践技能的训练教材教材的地位与作用教材的分析与处理教学目标

2017-09-28 约字 27页立即下载

半导体与三极管.pptx 第15章半导体二极管和三极管返回 15.1半导体的导电特性15.2PN结15.3半导体二极管15.4稳压管15.5半导体三极管目录 半导体：导电能力介乎于导体和绝缘体之间的物质。（如硅、锗、硒及大多数金属氧化物和硫化物）绝缘体：导电能力很差的物质。物质根据其导电性能分为:导体：导电能力良好的物质。15.1半导体的导电特性 半导体特性：热敏特性、光敏特性、掺杂特性温度升高时，纯净的半导体的导电能力显著增加；纯净的半导体受到光照时，导电能力明显提高；在纯净半导体材料中加入微量的“杂质”元素，它的电导率就会成千上万倍地增长。半导体的导电能力具有独特的性质。 半导体器件的材料：硅（Silicon-Si

2025-05-27 约6.95千字 10页立即下载

双极型半导体三极管的特性曲线9.ppt 2.1.4 双极型半导体三极管的特性曲线这里，B表示输入电极，C表示输出电极，E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。 iB是输入电流，vBE是输入电压，加在B、E两电极之间。 iC是输出电流，vCE是输出电压，从C、E 两电极取出。共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图02.04所示。简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。为

2018-06-14 约1.64千字 7页立即下载

7.3 半导体三极管（下）.pdf 7.3.1三极管的类型与结构 7.3.2三极管的工作原理 7.3.3三极管的特性曲线 7.3.4三极管的主要参数 7.3.5三极管举例 2.输出特性及其分区 iCf(uCE)i B常数 iC iBC + B uCERC + RBE+ +uBE UBBiEUCC   n①截止区特点：靠近横轴，IB0，IC0 n条件：发射结、集电结均反偏 2.输出特性及其分区 iCf(uCE)i B常数 iC iBC + BNPN型硅管的 uCERC RB+E+典型输出特性曲线 +uBE UBBiEUCC   n②饱和区特点：靠近纵轴，U很小。I基本不受I控制，无放大作用。 CECB 条件：

2024-06-27 约3.16千字 7页立即下载