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4.4电阻率与杂质浓度和温度的关系.pdf

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第四讲半导体的导电性

4.4电阻率及其与杂质浓度和温度的关系

1.电阻率与杂质浓度的关系

11

=

nq+pq

np

nN

D

pNA

11

=,=

nNDqnpNAqp

与N偏离线性关系

i

室温300K硅的电阻率随杂质浓度变化曲线

2.电阻率与温度的关系

①本征半导体,ρ由n决定。

i

nq(+)

iinp

12Eg32

n(NN)exp=−T

icv

2kT

0

n随温度升高按指数规律增大迁移率随温度升高而缓慢减小

i

本征材料的电导率随温度升高而增大;

电阻率随温度升高而减小。

②杂质半导体

杂质电离1

载流子来源

11本征激发2

=杂质半导体

nq+pq电离杂质散射3

n

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