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Bi/In，Sn/In双金属薄膜受体材料的无掩模光刻研究

的开题报告

题目：Bi/In，Sn/In双金属薄膜受体材料的无掩模光刻研究

研究背景：

无掩模光刻技术已经成为现代微电子制造过程中不可或缺的一个关

键技术。其优点包括可获得高分辨率、高质量、大面积的微纳米结构，

同时避免了传统光刻过程中的掩模设计和制造的复杂性和成本。

然而，目前很少有关于Bi/In，Sn/In双金属薄膜受体材料的无掩模

光刻研究。这种双金属薄膜材料有很多独特的性质，例如低电阻、高温

稳定性和较高的吸收系数，在射频电器件、光电器件等方面有广泛的应

用。因此，研究其无掩模光刻加工技术，能够为其在微纳加工领域的应

用提供新的解决方案。

研究内容：

本研究旨在探究Bi/In，Sn/In双金属薄膜受体材料的无掩模光刻技

术，主要包括以下几个方面：

1.确定合适的无掩模光刻条件，包括光源选择、曝光时间、能量密

度等参数的优化。

2.利用原子力显微镜（AFM）等技术对加工后样品的形貌结构进行

表征。

3.探究不同刻蚀深度、刻蚀速率等因素对加工效果的影响。

4.探究能否通过调整材料制备过程中的参数，如蒸镀温度、离子束

能量等，来优化其无掩模光刻加工性能。

研究意义：

1.为Bi/In，Sn/In双金属薄膜受体材料的微加工应用提供新的解决

方案。

2.探究无掩模光刻技术在金属薄膜材料的微加工领域中的应用前景，

为其进一步研究提供基础。

3.对于无掩模光刻技术的发展和应用具有一定的推进作用。

研究方法：

1.制备Bi/In，Sn/In双金属薄膜受体材料样品，并对其进行表征。

2.利用激光束直写系统进行无掩模光刻加工，并进行优化。

3.利用AFM等技术对加工后样品进行表征。

4.对加工参数进行优化，探究其对加工效果和性能的影响。

5.对研究结果进行分析和总结，并提出进一步的研究展望。

预期成果：

1.探究Bi/In，Sn/In双金属薄膜受体材料的无掩模光刻技术。

2.提供可靠的无掩模光刻加工参数和技术方案。

3.探究无掩模光刻技术在金属薄膜微纳加工领域中的应用前景。