《电子电路与系统基础I教学》习题课11.pdf

电子电路与系统基础 习题课第十一讲 1、第九周作业讲解 2、第十周作业讲解 李国林 清华大学电子工程系 习题课第十一讲 大纲 • 第九周作业讲解 • 第十周作业讲解 – 下周考题讲解 李国林 电子电路与系统基础 清华大学电子工程系 2016年春季 2 第9周作业1：NMOS晶体管 • （1）某NMOSFET的过驱动电压为0.5V，其饱和电 压为多少？ 2 • （2 ）该晶体管的 =2mA/V ，厄利电压为V =50V， n E 则在VDS=1V时，漏极电流为多少？ – 必做：不考虑厄利效应；选作：考虑厄利效应 • （3 ）其等效电路模型中的源电流为多少？源内阻 为多少？ iD iD vDS=vDSsat=vGS-VTH D 欧姆导通区 iG vGSVTH 恒流导通区 G M M vDS vGDVTH vGSVTH vGS vGDVTH vGS S vDS O 截止区：vGSVTH 李国林 电子电路与系统基础 清华大学电子工程系 2016年春季 3 • （1）某NMOSFET的过驱动电压为0.5V，其饱和电压为多少？ 2 • （2 ）该晶体管的 =2mA/V ，厄利电压为V =50V，则在V =1V时，漏极电流 n E DS 为多少？ • （3 ）其等效电路模型中的源电流为多少？源内阻为多少？ V V V 0.5V od GS TH 过驱动电压：只有过驱动，VGS=VTH+Vod ，才能有静电荷积累形成的沟道 从VGS这个角度看：是否导通或者截止 V V V 0.5V 饱和电压：只要V V ，沟道则夹断，电流呈现饱和特性 DS ,sat GS TH DS DS,sat 从VDS这个角度看导通是欧姆导通还是恒流导通