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《低压低温度系数高电源抑制比的带隙基准源设计》.docx

发布:2025-01-15约8.62千字共17页下载文档
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《低压低温度系数高电源抑制比的带隙基准源设计》

一、引言

在现今的电子系统中,精确而稳定的电压源是其不可或缺的部分。尤其在现代通信设备、高性能集成电路及众多高精度仪器中,对电源稳定性的要求愈发严格。带隙基准源(BandgapReference)作为实现这种稳定电压源的核心模块,其性能直接决定了整个系统的稳定性。本文将探讨一种低压低温度系数高电源抑制比的带隙基准源设计方法。

二、带隙基准源的基本原理

带隙基准源的基本原理是通过特殊的电路设计,将硅材料的带隙电压(约1.2V)作为基准电压,通过适当的电路结构,将这个电压值稳定地输出。其优点在于不受电源电压和温度变化的影响,具有良好的稳定性。

三、

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