SJ-20232-1993 国洋双栅场效应晶体管GP参数测试仪检定规程.pdf
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场效应晶体管参数测试仪的设计.doc
西 安 邮 电 大 学
毕 业 设 计（论 文）
题 目：
院 （系）： 专 业：
班 级：
学生姓名：
导师姓名： 职称：
起止时间：
目录
1 引言 1
2 总体方案设计 2
3 硬件电路设计 4
3.1 输出特性曲线的测试 4
3.1.1 漏极扫描电压 5
3.1.2 栅极阶梯电压 7
3.1.3 测量点及测量方式 9
3.1.4 输出特性曲线测试电路的整合 10
3.2 场效应晶体管的参数测试 11
3.2.1 结型场效应晶体管的夹断电压V
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双栅pocket层隧穿场效应晶体管的数值仿真研究.docx
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题
目
双栅pocket层隧穿场效应晶体管的数值仿真研究
PAGE3
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摘要
MOSFET是具有很好的电学特性，但是摩尔定律已接近极限且功耗问题日益显著。为了保证未来集成电路的发展，新型的场效应晶体管的研究开始进入白热化阶段。其中的双栅隧穿场效应晶管（DG-TFET）更是因其具有的亚阈值摆幅低、功耗小、与CMOS工艺有很好的兼容性等优点，被认为是MOSFET的极好的替代者。
DG-TFET采用了与MOSFET的掺杂类型不同的源、漏区掺杂类型相反的方式，使得其工作时在栅极电压的作用下，源区与沟道之间的界面发生了电荷隧穿现象，产生了隧穿
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第25卷第2期 红 外 与 毫 米 波 学 报 Vo1．25，No．2
2006年4月 J．InfraredMillim．Waves April，2006
文章编号 ：1001—9014(2006)02—0090—05
亚 50nm 自对准双栅场效应晶体管的量子
和短沟道效应的研究
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双栅结构的石墨烯场效应晶体管生物传感器及其制备方法.pdf
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112986355 A
(43)申请公布日
2021.06.18
(21)申请号 20191
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2025至2030年中国双栅场效应晶体管数据监测研究报告.docx
2025至2030年中国双栅场效应晶体管数据监测研究报告
目录
TOC\o1-3\h\z\u一、中国双栅场效应晶体管行业现状分析 4
1.行业规模及增长速度概述 4
年市场规模预测与2030年的预期增长值 5
市场增长率的驱动因素分析（如技术进步、市场需求增加等） 7
中国双栅场效应晶体管市场预估数据报告（2025-2030年） 8
二、中国双栅场效应晶体管市场竞争格局 9
1.主要竞争者分析 9
市场份额前五名企业及其业务概述 10
各主要竞争对手的核心竞争力与差异化战略 12
2.行业集中度及进入壁垒 13
行
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场效应晶体管.ppt
4.1 JFET;11.2.1 数字投音器;学习重点;引入 － JFET的工作特点;引入 － JFET的工作特点;一、JFET结构－N沟道;一、JFET结构－P沟道;导电沟道事先已存在;导电沟道事先已存在; 能够控制导电沟道;二、工作原理－控制沟道;二、工作原理－控制沟道;二、工作原理－控制沟道;二、工作原理－控制沟道; 能够控制导电沟道;二、工作原理－控制电流iD;二、工作原理－控制电流iD;二、工作原理－控制电流iD;二、工作原理－控制电流iD;三、特性曲线－转移特性;三、特性曲线－输出特性;三、特性曲线－输出特性;四、JFET主要参数
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