文档详情

电路电子实验基础基本放大电路静态和动态参数测试实验报告.docx

发布:2019-05-05约5.49千字共15页下载文档
文本预览下载声明
电路电子实验基础基本放大电路静态和动态参数测试实验报告   《电路与电子学基础》实验报告   实验名称基本放大电路电路   班级   学号   姓名   实验5基本放大电路电路   实验三极管分压偏置电路   一、实验目的   1.测量NPN管分压偏置电路的静态工作点。   2.估算电路的基极偏压Vb,并比较测量值与计算值。   3.估算发射极电流Ie和集电极电流Ic,并比较测量值与计算值。   4.估算集-射电压Vce,并比较测量值与计算值。   5.根据电流读数估算直流电流放大系数β。   6.测试分压偏置电路的稳定性。   二、实验器材   2N3904NPN三极管1个   20V直流电源1个   直流电压表2个   0~10mA直流电流表2个   0~50μA直流电流表1个   电阻660Ω1个   2KΩ2个   10KΩ1个   三、实验准备   NPN管分压式偏置电路如图5-1所示。在晶体管的输出特性曲线上,直流负载线与横轴的交点为集电极电流等于零时的集-射电压Vceo=Vcc,与纵轴的交点为集-射电压等于零时的集电极电流Ico=Vcc/(Rc+Re)。   图5-1分压式偏置电路   放大器的静态工作点Q一般位于直流负载线的中点附近,由静态集电极电流Icq和静态集-射电压Vceq确定。当流过上偏流电阻R1和下偏流电阻R2的电流远远大于基极电流时,基极偏压Vb由R2和R1的分压比确定   Vb=R2Vcc/(R1+R2)   发射极电流Ie可用发射极电压Ve除以发射极电阻Re求出,而Ve=Vb-Vbe,所以   Ie=(Vb-Vbe)/Re   静态电集电极Icq近似等于发射极电流Ie   Icq=Ie-Ib≈Ie   静态集-射电压Vceq可用克希霍夫电压定律计算,因此   Vcc=IcRc+Vceq+IeRe   因为Icq=Ie,所以   Vceq≈Vcc-Icq(Rc+Re)   晶体管的直流电流放大系数β可用静态集电极电流与基极电流之比来计算   β=Icq/Ibq   四、实验步骤   1.在EWB平台上建立如图5-1所示的分压式偏置电路。单击仿真电源开关,激活电路进行动态分析。   2.记录集电极电流Icq,发射极电流Ie,基极电流Ibq,集-射电压Vceq和基极电压Vb的测量值。   Icq=   Ie=   Ibq=   Vceq=   Vb=   3.估算基极偏压Vb,并比较计算值与测量值。   Vb=R2Vcc/(R1+R2)=近似相等   4.取Vbe的近似值为,估算发射极电流Ie和集电极电流Icq,并比较计算值和测量值。   Ie=/Re=()/=   测量值:Ie=   近似相等   Icq=Ie*β/(β+1)=   测量值:Icq=   近似相等   5.由Icq估算集-射电压Vceq,并比较计算值和测量值。   Vceq=Vcc-Icq=10V   测量值Vceq=   近似相等   6.由Icq和Ibq估算电流放大系数β。   β=Icq/Ibq=   7.单击晶体管T,下拉电路菜单CiRcuit选择模式命令Model,选中晶体管2N3904。在出现的晶体管模式对话框中单击编辑按钮Edit,则可显示2N3904的参数表。将表中的FoRwaRdCuRRentGainCoefficient,即β,从原来的204改为100,然后单击接受按钮Accept,以便测试晶体管参数变化对分压式电路工作点的影响。单击仿真电源开关,进行动态分析。记录集电极电流Ic,基极电流Ib,和集-射电压Vce。   Ic=   Ib=   Vce=   8.比较Ic,Ib和Vce的新旧值,分析β值变化对静态工作点的影响。   β值的减小   略微改变了静态工作点。   实验一单级放大电路静态参数的测试   一、实验目的   1.熟悉模拟电子技术实验箱的结构,学习电子线路的搭接方法。   2.学习测量和调整放大电路的静态工作点,观察静态工作点设置对输出波形的影响。二、实验仪器   1.低频信号发生器SG10261台2.双踪示波器SS7802或COS5020BF1台3.万用表VC9802A1块三、实验说明   图1为电阻分压式工作点稳定单管放大器实验电路图。它的偏置电路采用RB1和RB2组成的分压电路,并在发射极中接有电阻RE,以稳定放大器的静态工作点。当在放大器的输入端加入输入信号ui后,在放大器的输出端便可得到一个与ui相位相反,幅值被放大了的输出信号u0,从而实现了电压放大。   图1共射极单管放大器实验电路   在图1电路中,旁路电容CE是使RE对交流短路,而不致于影响放大倍数,耦合电容C1和C2起隔直和传递交流的作用。当流过偏置电阻RB1和RB2的电流远大于晶体管T的基极电流IB时,则它的静态工作点
显示全部
相似文档