GB/T 20726-2015微束分析　电子探针显微分析X射线能谱仪主要性能参数及核查方法.pdf

ICS 71.040.99 G 04 OB 中华人民共和 国 国彖标淮 GB/T 20726—2015/ISO 15632:2012 代替 GB/T 20726—2006 微束分析 电子探针显微分析X射线 能谱仪主要性能参数及核查方法 Microbeam analysis—Selected instrumental performance parameters for the specification and checking of energy dispersive X-ray spectrometers for use in electron probe microanalysis (ISO 15632:2012,IDT) 2015-10-09 发布 2016-09-01 实施 幅畿勰畫曹1警彎畫发布 GB/T 20726—2015/ISO 15632：2012 —1— 刖 旨 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 20726—2006 《半导体探测器X射线能谱仪通则》。 本标准与GB/T 20726-2006相比，主要变化如下： — 中文名称修改为:微束分析 电子探针显微分析X射线能谱仪主要性能参数及核查方法； ——增加了部分术语和定义 （见3.2、3.2.1、3.2.2、3.3〜3.5、3.12、3.13）； ——修改了部分术语和定义 （见3.8-3.11,2006年版2.4-2.7）； ——删除了仪器本底的术语和定义（见2006年版2.8）； ——增加了第五章： “其他性能参数的核查” （见第5章）； ——增加有助于理 本标准的必要的参考文献（见参考文献）。 与本标准中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下： -GB/T 21636—2008 微束分析 电子探针显微分析（EPM ） 术语（ISO 23833:2006, IDT）, 本标准由全国微束分析标准化技术委员会（SAC/TC 38）提出并归口。 本标准主要起草单位：中国科学院地质与地球物理研究所。 本标准主要起草人： 曾荣树、徐文东、毛骞、马玉光。 本标准于2007年8月1日首次发布，本次为第一次修订。 GB/T 20726—2015/ISO 15632：2012 引 言 近年来，通过改进探测器的探头晶体和X射线人射窗口新材料的制备丁艺以及应用先进的脉冲处 理技术，在X射线能谱仪 (EDS)技术上取得的进展增强了能谱仪的总体性能，特别是在高计数率和低 能量(低于1 keV)区域。由于原来的标准未包含硅漂移探测器 (SDD)技术，需要进行修订。即使在相 当高的计数率条件下，硅漂移探测器性能也可与Si-IJ探测器相媲美，更大的有效探测面积也使其具有 高计数率下测量能力。该标准更新了评价此类现代探测器的性能参数。 能谱仪的特性以往通常用高能状态下能量的分辨率来表示，定义为Mn-Ka谱峰半高宽(FWHM)O 为了表示在低能量范围的特性，生产厂家通常给出碳或氟K峰的半高宽或者零峰的半高宽。一些生产 商也用峰背比标示，即用^Fe谱线中峰与基线的比值或硼谱线中峰与谷的比值来确定，同一个量时常 有不同的定义。相对于高能量区而言，能谱仪在低能端的灵敏度很大程度上取决于探测晶体和X射线 入射窗口的设计。但是生产商通常不标示谱仪性能对能量的依赖关系，而低能端的高灵敏度对于分析 轻元素组分非常重要。 为满足全球范围内制定X射线能谱仪 (