行业标准项目建议书建议项目名称中文碳化硅单晶建议项目名称.DOC

行业标准项目建议书 建议项目名称 (中文) 碳化硅单晶 建议项目名称 (英文) Monocrystalline silicon carbide 制定或修订 ■制定 □ 修订 被修订标准号 采用程度 □ IDT □ MOD □ NEQ 采标号 国际标准名称 （中文） 国际标准名称 （英文） 采用快速程序 □ FTP 快速程序代码 □B □C ICS分类号 29.045 中国标准分类号 H83 牵头单位 北京天科合达半导体股份有限公司 体系编号 6-61-612 参与单位 南京国盛电子有限公司 计划起止时间 2017年-2018年 目的﹑意义或必 要性 碳化硅作为重要的宽禁带半导体材料，与硅和砷化镓等传统半导体相比，在热导率、击穿场强、饱和电子漂移速率、键合能和化学稳定性等方面具有明显的优势，是制作高温、高频、高压、高功率以及抗辐射器件的理想材料，在国防、航空、航天、固态照明、电力电子、通信、石油勘探、存储和显示等领域具有重要的应用，是当前全球半导体材料产业的前沿。碳化硅晶体制备技术被少数国家垄断，对我国实行严密的技术封锁和半绝缘碳化硅晶片禁运，国内在军用和民用方面都对高品质碳化硅材料有着迫切的需求，碳化硅晶体是制约国内宽禁带半导体产业发展的关键基础材料。 《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》明确将“新一代信息功能材料及器件”列为优先主题。开展碳化硅晶体制备研究和产业化，对满足国家安全需求和推动我国高端微电子和光电子产业的发展具有重要意义。节能减排已成为所有国家的关注，而与使用传统硅材料的器件相比，使用碳化硅半导体材料的电力电子器件可以大大减少电力系统的能量损耗，提高电力使用效率，同时可提高系统运行的可靠性并降低系统整体造价。高效节能碳化硅电力电子器件的普及和应用可以为产业升级、节能减排和建设低碳社会提供技术保障。 碳化硅晶体的国产化，可以帮助企业进入下游外延、器件和模块产业的国产化进程，在国内形成了完整的产业链，推动了我国碳化硅半导体产业的发展。天科合达公司晶片产品除内销外，大量出口至欧、美和日本等20多个国家和地区，成为我国少数进入国外知名大企业的高技术产品。自2009年以来，天科合达公司连续被国际著名半导体咨询机构YOLE公司列为全球碳化硅晶体主要制造商之一。 制定此标准，是为了规范用于半导体及电力电子行业的6H和4H碳化硅单晶的产品要求，界定可以满足不同用途的产品质量标准，强化碳化硅生产企业的质量控制管理，减少半导体行业对碳化硅单晶要求存在的质量分歧，杜绝碳化硅单晶生产行业内的不规范经营和不正当竞争。 范围和主要 技术内容 本标准规定了4H 及6H碳化硅单晶的术语和定义、产品分类、要求（直径、电阻率、参考面取向、参考面位置、晶向、晶体完整性等）、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于物理气相传输法制备的4H及6H碳化硅单晶。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。 国内外情况 简要说明 碳化硅材料是继第一代半导体材料（以硅为代表）和第二代半导体材料（以砷化镓和磷化铟为代表）之后，在近十年发展起来的第三代新型宽禁带半导体材料。目前国际上能够生产SiC晶片的公司主要集中在欧美及日本，而国内以北京天科合达蓝光半导体有限公司为代表的高新技术企业已成为SiC产业化的生力军，在国际市场已占有一席之地。 由于碳化硅单晶行业刚刚起步，国内没有单晶相关的标准，因此需要制定一个统一的标准来消除国际、国内产品的贸易壁垒，保证公平竞争。 牵头单位 （签字、盖公章） 月 日 标准化技术组织 （签字、盖公章） 月 日 部委托机构 （签字、盖公章） 月 日 [注1] 填写制定或修订项目中，若选择修订必须填写被修订标准号； [注2] 选择采用国际标准，必须填写采标号及采用程度； [注3] 选择采用快速程序，必须填写快速程序代码； [注4] 体系编号是指在各行业（领域）技术标准体系建设方案中的体系编号。 [注5] 目的﹑意义或必要性需要填写：标准项目涉及的方面，期望解决的问题； [注6] 范围和主要技术内容需要填写：标准的技术内容与适用范围；项目建议性质为强制性，需指出强制内容； [注7] 国内外情况简要说明需要填写： 1. 国内外对该技术研究情况简要说明：国内外对该技术研究情况、进程及未来的发展；该技术是否相对稳定，如果不是的话，预计一下技术未来稳定的时间，提出的标准项目是否可作为未来技术发展的基础； 2. 项目与国际标准或国外先进标准采用程度的考虑：该标准项目是否有对应的国际标准或国外先进标准，标准制定过程中如何考虑采用的问题； 3. 与国内相关标准间的关系：该标准项目是否有相关的国家或行业标准，该标准项目与这些标准是什么关系，该标准项目在标准体系中