STM32在SRAM、FLASH中调试代码的配置方法.pdf

STM32在SRAM、FLASH中调试代码的配置方法.docx STM32的FLASH擦写次数有限（大概为1万次），所以为了延长FLASH的使用时间，我们平时调试时可以选择在SRAM中进行硬件调试。除此之外，SRAM 存储器的写入速度比在内部 FLASH 中要快得多，所以下载程序到SRAM中的速度较快。所以我们很有必要建立两个版本的工程配置，在SRAM中调试程序完毕后，再把代码下载到FLASH中即可。这篇笔记主要分享在keil5中配置FLASH调试与SRAM调试的详细配置方法及如何切换两种配置。本篇笔记以STM32F103ZET6为例。其FLASH大小为512KB，SRAM的大小为64KB。FLASH基地址为0SRAM基地址为0在STM32F10XXX

2020-04-13 约2.57千字 13页立即下载

STM32库开发实战指南-M4：49-在SRAM中调试代码.pdf 零死角玩转STM32—F429 第49章 在SRAM 中调试代码 本章参考资料：《STM32F4xx 中文参考手册》、《STM32F4xx规格书》、《Cortex- M3权威指南》、《Cortex-M4 TechnicalReferenceManual》(跟M3大部分是相同的，读英文不习惯可先参考《Cortex-M3权威指南》)。学习本章时，配合《STM32F4xx 中文参考手册》 “存储器和总线结构”及 “嵌入式 FLAS

2017-05-30 约1.47万字 14页立即下载

STM32在SRAM中调试KEIL4.doc STM32在Keil4 J-link V8 中SRAM 调试方法 说明：此文章大部分为/view/f39c0534eefdc8d376ee32bf.html下名称为Keil?MDK?在STM32中SRAM调试 步骤6（红色部分）为本人所加，正是因为没有这部分，导致我当时一直不正常。故整理后共享给大家目的是避免FLASH擦写次数的限制，和避免新手学习很快让MCU结束生命。以本人STM32F103VET6为例，512K flash，64K SRAM,借鉴前人ULINK下调试的方法。把内存分为32K用做FLASH，32K用做内存使用，这里以GPIO点亮LED为例子 copy Keil安装目

2017-06-05 约字 7页立即下载

stm32在SRAM中调试部分中断不响应问题.doc stm32在SRAM中调试部分中断不响应的问题 ? ?因为stm32在flash区擦写的次数有限，所以我选择在sram中调试，SRAM擦除次数无限次，不过掉电代码就消失。代码放在SRAM中，对于我们调试是非常有帮助的。（我用的是原子的开发板） ????最近这几天发现，在SRAM中调试，部分中断不响应的问题，比如RTC秒中断，明明使能了秒中断，可是总是卡在某个地方不动，然后怎么也进入不了中断。下面是我的代码。结合代码说明问题吧。 ? rtc.h文件中代码 ? #ifndef __RTC_H#define __RTC_H typedef struct{?u8 m;?u8 h;?u8 s

2016-04-22 约2.92千字 8页立即下载

stm32在SRAM中调试部分中断不响应的问题stm32在SRAM中调试部分中断不响应的问题.doc stm32在SRAM中调试部分中断不响应的问题 ? ?因为stm32在flash区擦写的次数有限，所以我选择在sram中调试，SRAM擦除次数无限次，不过掉电代码就消失。代码放在SRAM中，对于我们调试是非常有帮助的。（我用的是原子的开发板） ????最近这几天发现，在SRAM中调试，部分中断不响应的问题，比如RTC秒中断，明明使能了秒中断，可是总是卡在某个地方不动，然后怎么也进入不了中断。下面是我的代码。结合代码说明问题吧。 ? rtc.h文件中代码 ? #ifndef __RTC_H#define __RTC_H typedef struct{?u8 m;?u8 h;?u8 s

2017-12-14 约2.92千字 8页立即下载

STM32的代码,跑在RAM里快？还是跑在Flash里快？.doc 【分析】STM32的代码，跑在RAM里快？还是跑在Flash里快？这肯定是很多人关心的问题，下面通过一个例子看看会有什么样的结论：测试手段如下：主循环一直在做一个变量的自加(sum1++)，当然前提保证不会溢出。用Cortex-M3内部的Systick计数，以一秒钟为限，这个sum1的数值大小，可以判断哪种方式比较快。为了严密，我们观察第一秒到第二秒之间的计数效果；而不是从第0秒到第1秒（因为使能Systick到真正开始执行sum1++可能有间隙）。在第一次进入Systick的ISR时，记录下sum1的值；第二次进入Systick的ISR时，再次记录sum1的值，两次值之差即为一秒钟间

2017-12-18 约3.17千字 4页立即下载

STM32时钟配置方法.docx STM32时钟配置方法详解一、在STM32中，有五个时钟源，为HSI、HSE、LSI、LSE、PLL。 ①HSI是高速内部时钟，RC振荡器，频率为8MHz。 ②HSE是高速外部时钟，可接石英/陶瓷谐振器，或者接外部时钟源，频率范围为4MHz~16MHz。 ③LSI是低速内部时钟，RC振荡器，频率为40kHz。 ④LSE是低速外部时钟，接频率为32.768kHz的石英晶体。 ⑤PLL为锁相环倍频输出，其时钟输入源可选择为HSI/2、HSE或者HSE/2。倍频可选择为2~16倍，但是其输出频率最大不得超过72MHz。二、在STM32上如果不使用外部晶振，OSC_IN和OSC_OUT的接法：如果

2019-04-15 约8.09千字 15页立即下载

STM32 外部 SRAM.pdf STM32 外部 SRAM STM32F103ZET6 自带了 64K 字节的 SRAM，对一般应用来说，已经足够了，不过在一些对内存要求高的场合，STM32 自带的这些内存就不够用了。比如跑算法或者跑 GUI 等，就可能不太够用。 IS62WV51216 简介 IS62WV51216 是 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc）公司生产的一颗 16 位宽 512K（512*16，即 1M 字节）容量的 CMOS 静态内存芯片。该芯片具有如下几个特点：

2017-05-31 约5.27千字 5页立即下载

stm32进入hardfault后调试方法.docx 在编写STM32程序代码时由于自己的马虎会觉察有时候程序跑着跑着就进入了HardFault_Handler中断，依据阅历来说进入HardFault_Handler故障的缘由主要有两个方面1：内存溢出或则访问越界。 2：堆栈溢出。发生特别后我们可以首先查看LR存放器的值，确认当前使用的堆栈是MSP还是PSP，然后找到相对应的堆栈指针，并在内存中查看相对应堆栈的内容，内核将R0~R3，R12，LR，PC，XPRS存放器依次入栈，其中LR即为发生特别前PC将要执行的下一条指令地址。那么Cortex-M3内核HardFault错误调试定位方法有：方法1 如

2024-07-14 约4.39千字 10页立即下载

STM32 在RAM 中调试的方法.pdf.pdf STM32在RAM中调试的方法最近刚学习stm32，鉴于flash的擦写次数有限，所以一直在网上找在ram中调试的方法，下面是参照安富莱STM32F103ZE-EK开发板的写的一点东西，希望对初学者有用，我试验是成功了的下面是说明：该设置的程序只能使用仿真器进行调试。优点 • 下载速度快； • 不改写CPU内部Flash已有的程序； • 无需拨动启动模式选择开关（即拨打CPU 内部Flash启动也可以下载到RAM进行调试； • 程序执行速度和在CPU内部Flash一

2017-05-28 约1.63千字 3页立即下载

代码增强及调试方法.pptx 代码增强及调试方法;主要内容;1.视图模式;1.1关键字视图模式;1.2专家视图模式;2.参数化;2.1DateTable参数化Demo;2.1.1参数化Demo可能遇到的问题;2.1.2解决方法;2.2 XML参数化Demo;2.3随机数Demo;Data Driver;2.2 外部数据源参数化;2.2.1文本文档格式;2.2.1格式一;2.2.1格式二;2.2.2Excel格式一;2.2.2Excle格式二;2.2.3XML;2.2.4数据库;2.3检查点;2.3.1检查点类型介绍;2.4 Action操作;2.4.1 Call to New Action;2.4.2 Call to Co

2017-05-07 约小于1千字 29页立即下载

stm32进入hard_fault后调试方法答题.docx 在编写STM32程序代码时由于自己的粗心会发现有时候程序跑着跑着就进入了 HYPERLINK /zyboy2000/article/details/7668331 HardFault_Handler中断，按照经验来说进入 HYPERLINK /zyboy2000/article/details/7668331 HardFault_Handler故障的原因主要有两个方面 1：内存溢出或则访问越界。 2：堆栈溢出。发生异常后我们可以首先查看LR寄存器的值，确认当前使用的堆栈是MSP还是PSP，然后找到相对应的堆栈指针，并在内存中查看相对应堆栈的内容，内核将R0~R3，R12，LR，P

2017-04-16 约4.63千字 11页立即下载

Keil MDK3.20 在ULINK下调试stm32方法.doc Keil MDK3.20?在ULINK下调试stm32方法 1.?程序在RAM中运行要点：（1）程序的下载地址改到RAM空间中（2）程序的debug之前要设定SP，PC指针到Ram空间新建工程，选择STM32?的具体型号，我买的万利的开发板，选择stm32f103Vb。 ? 设定程序下载地址，如下图所示，IROM1的地址指向了STM32的ram空间。 ? 空间大小如何分配取决于自己的需求。本款处理器内部ram大小为20K，分配16K给只读区，4K给可读可写区。这样IROM设定的大小为0x4000,IRAM1的起始就变为0大小只剩下0X1000。 Debug标签选择ULINK1 Corte

2017-06-17 约1.27千字 5页立即下载

基于SRAM的可重配置电路.doc 基于SRAM的可重配置电路基于SRAM的可重配置PLD（可编程逻辑器件）的出现，为系统设计者动态改变运行电路中PLD的逻辑功能创造了条件。PLD使用SRAM单元来保存字的配置数据决定了PLD内部互连和功能，改变这些数据，也就改变了器件的逻辑功能。由于SRAM的数据是易失的，因此这些数据必须保存在PLD器件以外的EPROM，EEPROM或FLASH ROM等非易失存储器内，以便系统在适当的时候将其下载到PLD中，从而实现在电路可重配置ICR（In-Circuit Reconfigurability，在电路可重配置）。如何实现ICR？ALTER公司的应用方案AN88中详细介绍一种基于DS8

2016-11-26 约字 3页立即下载

ROM、SDRAM、RAM、DRAM、SRAM、FLASH的区别.doc 常见存储器概念辨析存储原理　　RAM（Random Access Memory ）随机存取存储器，主要的作用就是存储代码和数据供CPU 在需要的时候调用。　　但是这些数据并不是像用袋子盛米那么简单，更像是图书馆中用有格子的书架存放书籍一样，不但要放进去还要能够在需要的时候准确的调用出来，虽然都是书但是每本书是不同的。　　对于RAM 等存储器来说也是一样的，虽然存储的都是代表0 和1 的代码，但是不同的组合就是不同的数据。　　让我们重新回到书和书架上来，如果有一个书架上有10 行和10 列格子（每行和每列都有0-9 的编号），有100 本书要存放在里面，那么我们使用＋个行的编号＋个列的编

2017-12-01 约3.39万字 32页立即下载