GB/T 19199-2015半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法.pdf

ICS 77.040 H 17 GB 中华人民共和 国 国彖标淮 GB/T 19199—2015 代替 GB/T 19199—2003 半绝缘不申化圭家单晶中碳浓度的 红外吸收测试方法 Test methods for carbon acceptor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy 2015-12-10 发布 2016-07-01 实施 幅畿勰畫曹1警彎畫发布 GB/T 19199—2015 -—1— 刖 旨 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 19199—2003«半绝缘神化傢单晶中碳浓度的红外吸收测试方法》。 本标准与GB/T 19199-2003相比，主要有以下变化： ——增加了 “规范性引用文件” “术语和定义” “干扰因素”和 “测试环境”4章； -扩展了半绝缘神化傢单晶电阻率范围，将电阻率大于IO?。• cm修改为大于10。• cm； ——将范围由“非掺杂半绝缘神化稼单晶”修改为 “非掺杂和碳掺杂半绝缘神化傢单晶”； 去除了 0.4 mm〜2 mm厚度测试样品的解理制样方法； —室温差示法测量时，将“仪器分辨率为0.5 cm 或1 cm-,修改为 “仪器分辨率1 cm^”。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/T 203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会 (SAC/T 203/S 2)共同提出并归口。 本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中 国电子材料行业协会。 本标准起草人:何秀坤、李静、张雪因。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T 19199—2003o GB/T 19199—2015 半绝缘碑化镌单晶中碳浓度的 红外吸收测试方法 1范围 本标准规定了半绝缘神化镣单晶中碳浓度的红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于10。• cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘神化傢单晶中碳浓度的测定。测量 范围：室温下从1. 0 X 10 aioms/cn?到代位碳原子的最大溶 度，77 K时检测下限为 4.0 X 1014 atoms/cm3 0 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 14264半导体材料术语 3术语和定义 GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。 4方法提要 碳为半绝缘神化傢中主要浅受主杂质，其局域模振动谱带（室温谱带峰位为580 cm 1 ,77 K谱带峰 位为582 cm ）吸收系数与代位碳浓度具有对应关系，由测得的吸收系数根据经验公式即可计算出碳 浓度。 5干扰因素 5.1杂散光到达检测器,将导致碳浓度测试结果岀现偏差。 5.2测试样品的测试面积应大于光阑孔径，否则可能导致错误的测试结果。 5.3室温测试时，神化傢中碳带半高宽可接受的数值应小于2 cm \在光