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SVF8N60T/F 说明书
8A、600V N沟道增强型场效应管
描述
2
SVF8N60T/F N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采
用士兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的
工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优 1
越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 3
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 1.栅极 2.漏极 3.源极
器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点
1 1
∗ 8A，600V，RDS(on)(典型值)=1.0Ω@VGS=10V 2 3 2 3
TO-220F-3L TO-220-3L
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了 dv/dt 能力
命名规则
产品规格分类
产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装形式
SVF8N60T TO-220-3L SVF8N60T 无铅 料管
SVF8N60F TO-220F-3L SVF8N60F 无铅 料管
版本号：1.1 2011.08.30
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SVF8N60T/F 说明书
极限参数(除非特殊说明，T =25°C)
C
参数范围
参 数 符 号 单位
SVF8N60T SVF8N60F
漏源电压 VDS 600 V
栅源电压 VGS ±30 V
T =25°C 8.0
C
漏极电流 ID
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