GB/T 13150-2005半导体器件　分立器件　电流大于100A、环境和管壳额定的双向三级晶闸管空白详细规范.pdf

ICS31．080.20 ＿ ＿ K46 dj 了灼． 入 石改 ，士t T-n 峨净 大藉 兄希 ．1－－． 」子竺夕‘、 仁七 步夸 和』1逛11丛1}K 牢刁屯4m GB/T 13150-2005 代替GB/T13150-1991 』I任己杀 日倪．才片曰 之、1、．．马a办 卜 千 仔 件 命 1=t- 夕丁%1命 1十 电流大于 100A、环境和管壳额定的 双向三极晶闸管空白详细规范 Semiconductordevices-Discretedevices-Blankdetailspecification forbidirectionaltriodethyristors(triacs)，ambientandcase-rated， forcurrentsgreaterthan100A (IEC60747一6一2/QC750111：1991，NEQ) 2005-03-23发布 2005-10-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 。， 1T/}LVI}Iri1}=17}/Ji1llLF11LTMM/X1CA/J发布 GB/T 13150-2005 ．告L ．．吕．． 月U 胃 本标准是晶闸管空白详细规范系列国家标准之一，这一系列国家标准现包括： - GB/T 6352 半导体器件 分立器件 第6部分：闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管 壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 — -GB/T 6590 半导体器件 分立器件 第6部分：闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管 壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范 — GB/T 13150 半导体器件 分立器件 电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管 空白详细规范 — GB/T 13151半导体器件 分立器件 第6部分：晶闸管 第三篇：电流大于100A、环境和 管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 — GB/T 13153 5A以上环境或管壳额定可关断晶闸管空白详细规范 本标准参照IEC 60747-6-2;1991《半导体器件 分立器件 第6部分：晶闸管 第二篇：电流小于 等于100 A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管（triacs）空白详细规范））（英文版），修订GB/T 13150- 1991((100A以上环境或管壳额定双向三极晶闸管空白详细规范》而产生。 本标准与IEC 60747-6-2的一致性程度为非等效，主要差异如下： — 适用电流范围不同，本标准适用于额定电流大于100A的双向三极晶闸管，IEC 60747-6-2适 用于额定电流小于等于100A的双向三极晶闸管； — 抽样要求不同，IEC 60747-6-2仅说明 “A组检验的抽样方案在详细规范中可选择AQL或LT- PD，对B,C,D组检验的抽样未加规定，而本标准明确要求：A组检验对全部器件进行，B组 和C,D组检验的抽样分别按LTPD=30和LTPD= 50; — 因勘误的不同：4. 2贮存温度和等效结温”应编辑为 “4. 2贮存温度”和 “4. 3等效结温”，后面 条号作相应调整；5. 1中的“2倍”应为“招倍”，5. 3中的“最大值”应为“最小值和最大值”，5. 7 , 5.8