sj 2354.1~14-83 pin、雪崩光电二极管.pdf
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PIN光电二极管和APD雪崩光电二极管。-FRONT!.ppt
第六章 光检测器; 光电检测器能检测出入射在其上面的光功率，并完成光/电信号的转换。对光检测器的基本要求是：
① 在系统的工作波长上具有足够高的响应度，即对一定的入射光功率，能够输出尽可能大的光电流；
② 具有足够快的响应速度，能够适用于高速或宽带系统；
③ 具有尽可能低的噪声，以降低器件本身对信号的影响；
④ 具有良好的线性关系，以保证信号转换过程中的不失真；
⑤ 具有较小的体积、较长的工作寿命等。
目前常用的半导体光电检测器有两种，PIN光电二极管和APD雪崩光电二极管。;
;光电二极管的工作原理;6.1.1 PIN
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一种全耗尽型PIN光电二极管.pdf
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213401223 U
(45)授权公告日 2021.06.08
(21)申请号 202022952421.8
(22)申请日 2020.12.11
(73)专利权人 西安迈驰半导体科技有限公司
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Version1.0(Page1of6)封装Ⅰ型硅雪崩光电二极管.pdf
Version 1.0 (Page 1 of 6)
LC C3 封装Ⅰ型硅雪崩光电二极管
型号：AA-SXXXXL 0X 00LCC3-X-A
特征及应用:
l 速响应、 增益、低结电容、低噪声
l 正照平面型芯片结构
l 200 m、500
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雪崩光电二极管专利技术综述.doc
雪崩光电二极管专利技术综述
摘 要：本文对雪崩光电二极管（APD）的专利申请趋势出发，对国外申请的APD相关专利的技术主题及申请人进行统计和分析，并结合今年来APD研究热点对其发展进行分析。
1.引言
近50年来，雪崩光电二极管（APD）在商业、军事和科研领域有着广泛的应用[1]。在通信领域，高速APD因为其更高的灵敏度和足够的速率被列入下一代光传输系统的规划中。在10G光接入网（IEEE 802.3av），40G和100G光以太网链接（IEEE 802.3ba）中，雪崩光电二极管被作为可采用的解决方案。此外，工作在盖革模式（Geiger Mode）下的APD，其工作
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一种三台面结构的雪崩光电二极管.pdf
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212461704 U
(45)授权公告日 2021.02.02
(21)申请号 202021415726.9
(22)申请日 2020.07.17
(73)专利权人 福
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课程设计--PIN光电二极管.ppt
PIN光电二极管 PIN光电二极管 PIN型光电二极管也称PIN结二极管、PIN二极管，在两种半导体之间的PN结，或者半导体与金属之间的结的邻近区域，在P区与N区之间生成I型层，吸收光辐射而产生光电流的一种光检测器。具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。 一?工作原理 在光电二极管的PN结中间掺入一层浓度很低的N型半导体，就可以增大耗尽区的宽度，达到减小扩散运动的影响，提高响应速度的目的。由于这一掺入层的掺杂浓度低，近乎本征（Intrinsic）半导体，故称I层，因此这种结构成为PIN光电二极管。I层较厚，几乎占据了整个耗尽区。绝大部分的入射光在I层内被吸收并产
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InGaAs雪崩光电二极管器件的研究的开题报告.docx
超高速薄层InP/InGaAs雪崩光电二极管器件的研究的开题报告
一、研究背景
随着通信技术的不断发展，对于高速光电器件的需求也越来越大。雪崩光电二极管是一种高速、高灵敏度、低噪声的光电转换器件，广泛应用于光通信、光电子计量等领域。
现有的雪崩光电二极管器件中，以InP/InGaAs为基底的薄层雪崩光电二极管由于其快速响应、低噪声等特点，成为研究的热点之一。此外，制备薄层结构的器件不仅具有更快的响应速度，在光谱响应范围上也更宽，不同于标准的InP/InGaAsP雪崩光电二极管。
三、研究内容和目标
本文的研究内容为超高速薄层InP/InGaAs雪崩光电二极管器件的研究，主要目的包括：
1.设计
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【雪崩光电二极管的基本理论探究综述1800字】.docx
雪崩光电二极管的基本理论分析综述
目录
TOC\o1-2\h\u3947雪崩光电二极管的基本理论分析综述 1
113231.1雪崩光电二极管的工作原理 1
293471.2雪崩光电二极管的工作电路 2
51361.3雪崩光电二极管的降噪分析 2
123611.3.1雪崩光电二极管噪声产生分析 2
324581.3.2雪崩光电二极管的降低噪声相关措施 3
1.1雪崩光电二极管的工作原理
APD是一类典型的光伏探测器，它主要基于内光电效应原理进行工作，存在着灵敏度高与响应及时等特点。APD可以近似于一类运用在高反偏电压下的PIN光电二极管，那么在设备两
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114459625 A
(43)申请公布日 2022.05.10
(21)申请号 202111650658.3
(22)申请日 2021.12.30
(71)申请人 广州南方卫星导航仪器有限公司
地址
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面向X射线探测应用的InGaAs-InAlAs雪崩光电二极管
面向X射线探测应用的InGaAs-InAlAs雪崩光电二极管一、引言
随着科技的发展，X射线探测技术广泛应用于医疗成像、安全检查、无损检测和天文学等领域。其中，InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管（APD）因其具有高灵敏度、高分辨率和低噪声等特性，在X射线探测领域中具有重要应用价值。本文将就InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管在X射线探测应用中的相关研究进行深入探讨。
二、InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管的基本原理与特性
InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管是一种具有雪崩倍增效应的P-N结二极管。其工作原理主要是
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雪崩光电二极管暗电流抑制工艺创新
一、暗电流的产生机制及其影响
（一）暗电流的物理机制
雪崩光电二极管（AvalanchePhotodiode,APD）的暗电流主要由热激发载流子、缺陷态隧穿电流和表面漏电流构成。根据Shockley-Read-Hall理论，材料中的缺陷态会形成载流子复合中心，导致暗电流随温度指数增长。实验数据显示，当APD工作温度从25℃升高至75℃时，暗电流密度可从10nA/cm2增加至200nA/cm2（Kimetal.,2019）。
（二）温度依赖性分析
暗电流的温度敏感性是APD性能退化的主要因素。理论计算表明，InGaAs/InPAPD的暗电流激活能约为0.6eV，
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雪崩光电二极管在激光雷达中的噪声控制
一、雪崩光电二极管（APD）的工作原理与噪声来源
（一）APD的雪崩倍增效应
雪崩光电二极管（AvalanchePhotodiode,APD）通过反向偏置电压下的雪崩倍增效应实现微弱光信号的放大。当光子能量超过材料带隙时，光生载流子在强电场作用下加速碰撞电离，产生二次电子-空穴对，形成载流子链式反应。典型APD的增益系数可达50-200倍（Haitzetal.,1965），但该过程伴随量子效率波动，导致信号失真。实验数据显示，在905nm激光波长下，硅基APD的量子效率可达80%以上，但温度每升高10℃，击穿电压漂移约0.1V（McIntyre,1972）
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PIN硅光电二极管用于γ射线探测试验研究.pdf
维普资讯
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