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《CIGS薄膜太阳能电池吸收层制备工艺综述.》.pdf

发布:2016-01-03约字共9页下载文档
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第 14 卷第 3 期 真空与低温 200 8 年 9 月 Vacuum Cryogenics 125 CIGS 薄 膜 太 阳 能 电 池 吸 收 层 制 备 工 艺 综 述 , 1 2 1 2 1 郭杏元 , 许 生 , 曾鹏举 , 范垂祯 ( 1. 深圳 豪威 真空光 电子股份有 限公 司, 广东 深 圳 5 1805 ; 2 . 深圳 大学 光 电子 学研 究所 , 广 东 深圳 518060) 摘 要 : CIGS 薄膜太 阳能 电池具有高光 吸收系数 、高转化效率 、高稳定性等 优 点, 已经成为太 阳能 电池领域 的研 究热 点 。其小样 品最高转化效率 已达 19 .9%, 可与 多 晶硅 电池 的转化效率( 20 .3%) 媲美; 其大面积 电池组件转化效率 一般在 10%~ 15%范 围 内, 根据各膜层材料组分及制备工艺 的不 同而有所变化 。综述 了 CIGS 薄膜太 阳能 电池 吸收层 的各种制备工艺及其产业化进程 。 关键词 : CIGS; 太 阳能 电池 ; 薄膜 ; 综述 + 中图分类号: O4 84 .4 1 文献标识码 : A 文 章编号: 1006- 086( 200 8) 03- 0 12 5- 09 R EVIEW ON FABRICATION P ROCE SS OF THE ABSORBER LAYER O F TH E C IGS THIN- F ILM SOLAR CELL 1,2 1 2 1 GUO X in g- yu an , XU Sh eng , ZEN G Pen g- j u , FAN Chu i- zh en ( 1. Sh enzh en Hiva c Vacuum P h oto- Electr onics Co . Ltd ., Gu an gdon g, Shenzh en 51805 , China ; 2. I n stitut e of Optoelectr onics, Sh enzhen Univer sity , Shenzh en , 5 18060, Chin a) Ab str a ct : CIGS thin - film solar cell promises a bright future to th e PV market du e to its high optical absorption coefficient, high conversion
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