SJ-2723-1986 2CZ307 型硅快开关整流二极管详细规范.pdf
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DB52／T861-20132CB003型硅雪崩整流二极管详细规范.docx
DB52/T120132CB003型硅雪崩整流二极管详细规范
DB52/T120132CB003型硅雪崩整流二极管是一种高效能的电子元件，广泛应用于电力电子领域。本文档将详细介绍该型号硅雪崩整流二极管的技术规范和性能参数。
一、产品概述
1.高反向击穿电压：该型号硅雪崩整流二极管具有很高的反向击穿电压，能够承受较高的电压应力，适用于高电压应用场合。
2.低正向压降：在正向导通状态下，该型号硅雪崩整流二极管的压降较低，降低了导通损耗，提高了设备的效率。
3.高反向恢复速度：该型号硅雪崩整流二极管具有快速的反向恢复特性，减少了反向恢复电荷，提高了开关频率，适用于高频应用场合。
二、技术规范
1.反
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DB52T 861-2013 2CB003 型硅雪崩整流二极管详细规范.docx
ICS31.080.10L41
DB52
贵州省地方标准DB52/T861—2013
2CB003型硅雪崩整流二极管详细规范
Detailspecificationforsiliconavalancherectifierdiodeoftype2CB003
2013-12-06发布2014-02-01实施
贵州省质量技术监督局发布
I
DB52/T861—2013
目次
前言 II
1范围 1
2规范性引用文件 1
3术语、符号及型号命名 1
4技术要求 1
5质量一致性检验 3
6标志 9
7订货资料 10
8包装、贮存和运输 10
9使用要求 10
附录A（规范性附录）反向不重复流通电流IR
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